李俊杰
,
金曾孙
,
吴汉华
,
林景波
,
金哲
,
李哲奎
,
顾广瑞
,
盖同祥
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.01.019
为了研究非晶CNx薄膜的热稳定性,采用射频磁控溅射方法沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900℃,利用FTIR,Raman和XPS谱探讨了高温退火对CNx薄膜化学成分及键合结构的影响.研究表明:CNx薄膜样品中N原子分别与sp、sp2和sp3杂化状态的C原子相结合,退火处理极大地影响了CN键合结构的稳定性;当退火温度低于600℃时,膜内N含量的损失较少,CNx薄膜的热稳定性较好,退火温度超过600℃时,将导致CNx膜中大多数C、N间的键合分离,造成N大量损失,膜的热稳定性下降;退火可促使膜内sp3型键向sp2型键转变,在膜中形成大量的sp2型C键,导致CNx膜的石墨化.
关键词:
CNx薄膜
,
退火
,
热稳定性
,
键合结构
,
磁控溅射
姜金龙
,
陈娣
,
王琼
,
杨华
,
魏智强
稀有金属材料与工程
通过中频非平衡磁控溅射Ti80Si20复合靶在氩气和甲烷混合气氛中沉积Ti-Si-C复合薄膜.采用X射线衍射仪、Raman光谱和X射线光电子能谱分析薄膜微结构.结果显示:制备的薄膜为非晶碳(a-C∶Si∶H)包裹约10 nm TiC晶粒的复合结构,氩离子溅射刻蚀对XPS分析结果有显著影响.随氩离子刻蚀溅射刻蚀时间增加,薄膜表面C、O原子含量明显降低,而Ti、Si原子含量增加.氩离子溅射刻蚀导致薄膜非晶碳相发生石墨化转变,即sp3C-C(H)/sp2C-C比率减小,同时,C-Ti*/C-Ti和C-(Ti+Ti*)/C-C强度比明显增加.
关键词:
Ti-Si-C纳米复合薄膜
,
氩离子溅射刻蚀
,
X射线光电子能谱
,
键合结构
梅艳
,
贾曦
,
安彩虹
,
完继光
,
徐艳梅
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.019
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在不同N2O流量条件下制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜,利用透射电镜(TEM),X射线衍射分析(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)和透射光谱技术研究了薄膜中的氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、薄膜键合结构和光吸收特性的影响.结果表明,薄膜由nc-Si粒子和非晶SiOx组成,为混合相结构.nc-Si的生长与氧化反应的竞争决定了薄膜微观结构、键合特性以及光吸收特性.随着N2O流量的增加,薄膜的晶粒尺寸逐渐减小.晶界区过渡晶硅的比例减少,晶粒界面随之消失,带隙呈持续增加趋势.该实验结果为nc-Si/SiOx薄膜在新型太阳电池中的应用提供了基础数据.
关键词:
红外光谱
,
纳米晶硅
,
氧化硅
,
键合结构
