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ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

吴先球 , 陈俊芳 , 熊予莹 , 吴开华 , 任兆杏

功能材料

用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成,还含有Si-H和Si-O-Si键结构.随着沉积温度的提高,Si3N4薄膜中的Si-H键减少,氢含量降低.可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量.在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰.

关键词: 氮化硅 , 薄膜 , 键态结构 , ECR-PECVD

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