陈万金
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华中
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姚斌
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刘力
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苏文辉
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丁炳哲
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胡壮麒
金属学报
以六方ＢＮ和石墨粉为原料, 通过机械球磨的方法制备出非晶ＢＣＮ粉. 在１４７０Ｋ, １．３３＊１０＾－３Ｐａ的条件下, 对非晶ＢＣＮ粉进行烧结. 获得了块状非晶ＢＣＮ化合物. 对其电导率测量的结果表明：在室温至５６０Ｋ范围内, 它属于半导体, 能隙为０．１１ｅＶ, 在５６０－７４０Ｋ内, 它属于半金属, 对非晶ＢＣＮ的形成机理进行分析和讨论.
关键词:
非晶半导体
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null
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null
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null
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凌云
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林殷茵
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赖连章
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乔保卫
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赖云锋
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冯洁
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汤庭鳌
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蔡炳初
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功能材料
对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能.研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系.
关键词:
非晶半导体
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阈值电压
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相变存储器
彭启才
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周心明
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蔡伯埙
材料研究学报
采用等离子体辉光放电单室系统制备的a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的S-W 效应。随着子层厚度L 减小,多层膜曝光态(B)的暗电导率σdB 较退火态(A)的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙E_g,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。
关键词:
a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H
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superlattice
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amorphous semiconductors electrical properties
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optical properties
,
null
