程碧胜
,
雷青松
,
徐静平
,
薛俊明
人工晶体学报
利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响.通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜.在此基础上制备出效率为6.65％的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池.
关键词:
非晶硅锗
,
氢稀释率
,
衬底温度
,
太阳能电池
刘石勇
,
李旺
,
牛新伟
,
杨德仁
,
王仕鹏
,
黄海燕
,
陆川
人工晶体学报
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(a-SiGe)薄膜和太阳能电池.系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9％,同时填充因子(FF)也达到0.62.
关键词:
非晶硅锗
,
光学带隙
,
太阳能电池
