张进修
,
龚康
,
王晓伟
,
朱震刚
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.024
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰.3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词:
内耗
,
频率谱
,
多晶铜
,
单晶铜
,
纳米晶铜
,
共振吸收
张进修
,
龚康
金属学报
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱，在170，320以及490Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰，3种试样在晶粒结构上存在极大差别，但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围，这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关，而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词:
内耗
,
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,
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