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新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用

邵起越 , 袁涛 , 李爱东 , 董岩 , 方峰 , 蒋建清 , 刘治国

功能材料

通过一种简便可行的合成工艺,成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体:无水硝酸钛、硝酸锆和硝酸铪.以这些无水金属硝酸盐为前体,采用化学气相沉积(CVD)工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数(high-k)氧化物薄膜:TiO2、ZrO2和HfO2薄膜.这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积,无需引入氧化气体,且沉积温度较低,可避免低介电常数界面层生成,在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势.

关键词: 无水硝酸盐 , 化学气相沉积(CVD) , 高介电常数(high-k)栅介质

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