董捷
,
胡小波
,
徐现刚
,
王继扬
,
韩荣江
,
李现祥
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.009
我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC出现两相共存或三相共存现象.在单相、两相或三相共存区,X射线摇摆曲线具有明显不同的特征.根据多型结构,可以对摇摆曲线中的衍射峰进行鉴定.
关键词:
碳化硅
,
多型
,
高分辨X射线衍射仪
,
摇摆曲线
