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高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究

崔继锋 , 叶志镇 , 吴贵斌 , 赵炳辉

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.023

采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.

关键词: 锗硅 , 拉曼 , 高分辨XRD , 应变驰豫 , 热应变