金波
,
李炜
,
郑志宏
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.005
为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜.
关键词:
CeO2
,
高取向
,
退火
,
电子束蒸发
