姜英
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方晓英
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王友林
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彭欢
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杜佳泽
材料热处理学报
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了不同温度轧制黄铜H68样品退火后的晶界特征分布(GBCD).黄铜H68再结晶样品在不同温度下(-20℃、室温、100℃)进行6％轧制,随后进行650℃×10 min退火处理.结果表明:在室温下轧制退火比在100℃轧制退火和-20℃轧制退火生成更高比例的特殊晶界,其值达到78.7％;较大尺寸(400 μm)的∑3n(n=1,2,3)特殊晶粒团使外围的一般大角晶界网络连通性被阻断,实现了合金的GBCD优化.分析指出:在室温下轧制,合金的层错能有利于后续退火中形成退火孪晶,并发生∑3n(n=1,2,3)晶界迁移与交互反应;在100℃下轧制,合金的层错能较高,有利于后续退火中生成一般大角度晶界包围的新生晶粒;在-20℃下轧制,合金的层错能较低,后续退火中晶界迁移的驱动力不足,不能实现GBCD优化.
关键词:
黄铜H68
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轧制
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晶界特征分布
姜英
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方晓英
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王友林
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陈宗民
材料热处理学报
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了黄铜H68初始样品经6％轧制后在650℃退火不同时间的晶界特征分布(GBCD).结果表明:特殊晶界比例随退火时间增加而增大,退火10 min时达到峰值76％;同时互成∑3n(n=1,2,3)界面关系的特殊晶粒团平均尺寸超过300 μm,使外围的一般大角晶界网络连通性被阻断,实现了GBCD的优化.分析指出:退火中非共格∑3晶界优先在三叉晶界(triple junctions)处形核并在界面应力(SIBM)作用下迁移,迁移中发生∑3n(n =1,2,3)晶界的交互反应,这可能是样品晶界特征分布随退火时间演化的主要机制.
关键词:
黄铜H68
,
轧制
,
晶界特征分布
