黄帅
,
李晨辉
,
孙宜华
,
柯文明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00064
采用陶瓷靶直流磁控溅射, 以玻璃为基底制备2.5wt% Nb掺杂TiO2薄膜, 控制薄膜厚度在300~350 nm, 研究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性. XRD分析表明, 基底温度为150℃、250℃和350℃时, 薄膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构. 基底温度250℃时, 锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大, 约为 32 nm. 薄膜表面形貌的SEM分析显示, 薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善. 薄膜的平均可见光透过率在基底温度为250℃以内约为70%, 随基底温度升高至350℃, 平均透过率下降为59%, 金红石相的存在不利于可见光透过. Nb掺杂TiO2薄膜的光学带宽在3.68~3.78 eV之间变化. 基底温度为250℃时, 锐钛矿相薄膜的禁带宽度最大, 为3.78 eV.
关键词:
基底温度
,
TiO2
,
DC magnetron sputtering
,
ceramic target
,
structure
,
optical properties
于威
,
杜洁
,
张丽
,
崔双魁
,
路万兵
,
傅广生
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00540
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术进行了氢化纳米晶态SiC薄膜的沉积, 研究了氢流量对其微结构和光学特性的影响. 结果显示: 随着氢气流量的增大, 薄膜的沉积速率先增大后减小, 所生长薄膜晶化度显著提高. 在较低氢流量条件下, 薄膜光学带隙的大小由氢的刻蚀与悬键终止作用共同控制,并呈先减小后增大的趋势. 在高氢流量条件下, 强的氢刻蚀使薄膜具有较高的晶化度, 虽然薄膜中整体氢含量有所下降, 但存在于纳米碳化硅晶粒表
面键合氢的相对密度持续增大, 纳米碳化硅晶粒数量的增加和晶粒尺寸的减小所导致的量子限制效应使薄膜的光学带隙继续展宽.
关键词:
纳米碳化硅
,
H2 flow rate
,
microstructure
,
optical property
王保柱
,
王晓亮
无机材料学报
doi:10.3724/sp.j.1077.2009.00559
利用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金，通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金，材料生长过程中采用反射式高能电子衍射（RHEED）进行了在位检测. 通过扫描电镜（SEM）、卢瑟福背散射（RBS）、X射线衍射（XRD）和阴极荧光（CL）等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性. 研究结果表明：在GaN层上生长AlInGaN外延层时，外延膜呈二维生长；当铝炉的温度为920℃时，外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7，X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin，四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm，AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.
关键词:
铝铟镓氮
,
RF-MBE
,
structural properties
,
optical properties
刘明
,
魏玮
,
曲盛薇
,
谷建峰
,
马春雨
,
张庆瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01096
采用反应射频磁控溅射方法, 在Si(001)基片上制备了具有高$c$轴择优取向的ZnO薄膜. 利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术, 研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响. 研究结果显示: 0.04～0.23Pa的氧分压范围内, ZnO薄膜存在三个不同的生长模式, 薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间; 在0.16Pa以下时, ZnO薄膜的表面岛呈+c取向的竹笋状生长; 当氧分压>0.19Pa时, 薄膜的表面岛以-c取向生长为主; ZnO薄膜的折射率、光学带隙宽度以及PL光谱强度均随着氧分压的增大而增大, 氧分压为0.19Pa时, 薄膜的发光峰最窄, 其半峰宽为88meV.
关键词:
ZnO薄膜
,
reactive radio-frequency magnetron sputtering
,
morphological analysis
,
optical properties
