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MOD法制备的Bi_3.25Nd_0.75Ti₃O₁₂薄膜的铁电各向异性行为

马建华 , 孟祥建 , 孙璟兰 , 褚君浩

无机材料学报

采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt／Ti／SiO₂／Si衬底上制备了含(117)成分的 c轴择优取向和a轴择优取向的Bi_3.25Nd_0.75Ti₃O₁₂(BNT)薄膜.实验发现, BNT薄膜的晶 型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余 极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相 反. BNT薄膜具有同Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.

关键词: BNT薄膜 , crystallinity , ferroelectricity , anisotropy

MOD法制备的Pb_0.985La0.01(Zr_0.4Ti_0.6)O₃

马建华 , 孟祥建 , 孙兰璟 , 褚君浩

无机材料学报

采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)/Si衬底上制备了Pb_0.985La_0.01(Zr_0.4Ti_0.6)O₃(PLZT)铁电薄膜. 在薄膜的快速退火过程中, 增加了一个中间温度预退火过程, 并研究了该过
程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响. 结果发现, 中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择. 没有中间温度预退火过程的薄膜, 显示出(100)择优取向; 而经中间温度预退火的
薄膜则表现为随机取向. 对薄膜铁电性能的研究表明, 没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差, 经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能. 晶型结构取向和缺陷是影
响PLZT薄膜铁电性能的两个主要因素.

关键词: PLZT薄膜 , intermediate pre-annealing process , crystallinity , ferroelectricity

水解法锑白的晶型结构控制机理

肖松文 , 肖骁 , 刘志宏 , 李启厚 , 张多默

无机材料学报

本文基于负离子配位多面体生长基元模型，分析确定了两种晶型锑白的不同结构基元：ＳｂＯ_３配位四面体与ＳｂＯ_３＋３Ｅ星状四面体；详细探讨了水解法制锑白时水解介质等条件对其晶型结构影响的机理，得到了水解法制锑白时控制晶型结构的规律．

关键词: 负离子配位多面体 , antimony white , structure growth unit , polymorph

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