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飞秒脉冲激光沉积 Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及I-V特性研究

周幼华 , 郑启光 , 杨光 , 龙华 , 陆培祥

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01230

采用飞秒脉冲激光沉积系统, 在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi₄Ti₃O₁₂薄膜. X
射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi₄Ti₃O₁₂/Si(111)薄膜呈c轴择优取向, 晶粒的平均直径为20nm. 在500℃沉积的Bi₄Ti₃O₁₂/Si(111)薄膜呈a轴择优取向. 测量了薄膜的电滞回线和I-V特性曲线, 并用分布参数电路研究了Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的I-V特性曲线和铁电性的关联性. a轴择优取向Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的剩余极化强度P_r=15μC/cm^2, 矫顽力E_c=48kV/cm.

关键词: 飞秒 , pulsed laser deposition , Bi4Ti3O12 , ferroelectric