刘健敏
,
夏义本
,
王林军
,
张明龙
,
苏青峰
无机材料学报
doi:2006 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2006.01018
采用不同的沉积条件, 通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜. 讨论了薄膜退火前后的介电性能. 研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系. 通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性. 结果表明, 退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质, 改善了薄膜质量. 获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能, 在50V偏压条件下电阻率为1.2×1011Ω·cm, 频率在2MHz条件下介电常数为5.73, 介电损耗为0.02.
关键词:
退火工艺
,
CVD diamond films
,
deposition condition
