王松
,
张雪娇
,
马冬
,
于忠臣
,
王鑫
,
牛源麟
稀有金属材料与工程
采用微等离子体氧化法,在H2SO4溶液为电解液中以钛合金为基体制备原位生长的TiO2薄膜,并以罗丹明B溶液为目标污染物测试其光催化性能.为提高所得TiO2薄膜的光催化性能,向电解液中添加了不同浓度的草酸铌,制备了原位Nb掺杂TiO2薄膜.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别对Nb掺杂前后的TiO2薄膜表面形貌、元素组成和晶体结构进行了分析.结果表明,Nb掺杂能使介孔TiO2晶粒细化,比表面积增大,Nb对TiO2晶相组成影响不大,但对晶胞参数有所影响,Nb掺杂可有效提高TiO2的光催化活性,其中当草酸铌为1.2 g/L时,对初始浓度为10 mg/L罗丹明B溶液90 min的降解率可达到85％,表现出最强的光降解能力.
关键词:
微等离子体氧化
,
TiO2薄膜
,
Nb离子掺杂
,
光催化性能
李金泽黄洁陈浩厉以宇苏晓东
材料研究学报
用溶胶--凝胶法制备TiO2以及La掺杂TiO2的前驱体凝胶, 将其均匀旋涂不同层数制备出不同厚度的薄膜, 研究了La掺杂对TiO2薄膜结晶性能、表面形貌、光学特性和亲水性能的影响. 结果表明: 在500℃可以获得结晶性良好的锐钛矿相TiO2薄膜; 随着La掺杂量的增加, 薄膜中TiO2晶粒会变大, 同时引起紫外可见光谱中吸收边的蓝移. 掺La的TiO2 薄膜经紫外照射后其接触角明显高于未掺杂样品, 主要原因是到达表面的活性载流子相对减少. 一方面, 大的TiO2晶粒使得光生载流子到达光催化表面的路程变长, 电子--空穴对的复合几率也随之变大; 另一方面, 未完全替代Ti的La可能成为光生电子--空穴对的复合中心. 因此, 通过La的掺杂可以有效调节TiO2晶粒尺寸和光致接触角.
关键词:
无机非金属材料
,
sol–gol
,
TiO2 thin film
,
La doping, contact angle
,
null
毛立群
,
丁彦
,
张治军
,
党鸿辛
无机材料学报
采用sol-gel法制备纳晶TiO2薄膜,在溶胶的制备过程中加入丙烯酸对纳米TiO2胶体颗粒进行表面修饰.溶胶的透射电镜(TEM)分析表明,丙烯酸的表面修饰作用可以抑制在制备和陈放过程中胶体颗粒的团聚.采用原位程序升温,使用X射线衍射仪(XRD)对TiO2粉体由锐钛矿向金红石的转变过程(A→R)进行了考察,结果显示,晶粒的迅速生长和晶型的转变有着密切的联系;此外,丙烯酸的修饰作用能显著提高A→R的温度,且有助于抑制热处理过程中纳晶TiO2颗粒的团聚.TiO2薄膜的原子力显微照片(AFM)表明,丙烯酸修饰法制备的TiO2薄膜,膜层均匀连续,颗粒为纳米尺度.
关键词:
表面修饰
,
thermal aggregation
,
phase transformation
,
TiO2 thin film
赵秀峰
,
孟宪锋
,
张志红
,
刘浪
,
贾殿赠
无机材料学报
以硝酸铅和钛酸丁酯[Ti(OBt)4]为前驱体,用溶胶-凝胶法在活性炭表面制成了Pb掺杂TiO2薄膜.并用X射线衍射(XRD)、紫外可见光谱(UV-VIS)、透射电镜(TEM)对制得的Pb掺杂TiO2薄膜进行了表征.分别用甲基橙水溶液的光催化脱色反应、有机磷农药一氧化乐果(omethoate)水溶液的光催化降解反应评价了不同Pb掺杂TiO2薄膜的光催化活性.结果表明,薄膜为金红石和锐钛矿的混合晶相.相对于未掺杂的TiO2薄膜,由于金红石含量的增加,不同Pb掺杂TiO2薄膜的吸收带发生了微小的红移.Pb掺杂使薄膜的光催化活性明显提高,当Pb/TiO2质量分数为1.7％时,薄膜显示出最高的光催化活性. TiO2薄膜中的Pb可能以Pb(Ⅳ)和Pb(Ⅱ)两种形态存在,在紫外光的辐射下,Pb(Ⅳ)和Pb(Ⅱ)可能通过浅势俘获TiO2的光生电子和空穴而发生相互转化,减少了光生电子和空穴的简单复合,从而提高了薄膜的光催化活性.
关键词:
Pb掺杂
,
TiO2 thin film
,
sol-gel method
,
preparation
,
photocatalytic activity
H.Q.Wang
金属学报(英文版)
TiO2 thin film has attracted considerable attention in recent years, due to its different refractive index and transparency with amorphous and different crystals in the visible andnearinfrared wavelength region, high dielectric constant, wide band gap, high wear resistance and stability, etc, for which make it being used in many fields. This paper aims to investigate the optical characterization of thin film TiO2 on silicon wafer. The TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron sputtering process from Ti target. The reflectivity of the films was measured by UV-3101PC, and the index of refraction (n) and extinction coefficient (k) were measured by n & k Analyzer 1200.
关键词:
optical characterization
,
null
,
null
