杜新华
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刘振祥
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谢侃
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王燕斌
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褚武扬
材料研究学报
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明,薄膜经973K至1373K退火后,形成了CaF2型结构的CeO2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973K至1173K时,(200)晶面是择优取向的,在1373K退火4h后,可得到热力学稳定的CeO2-x,在退火前后薄膜表面存在少量Ce3+.
关键词:
二氧化铈
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thin film
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structure
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annealling
