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CuO/SiO₂复合薄膜的微观结构和发光特性分析

石锋 , 李玉国 , 孙钦军

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00234

采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO₂ 复合薄膜，然后在N₂保护下高温退火，再于空气中自然冷却氧化，制备出低维CuO纳米结构，并对其微观结构和光致发光进行研究. 退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO（200）晶面，薄膜样品表面出现纳米线状结构，表面组分主要包括Cu、O元素，冷却氧化形成CuO/SiO₂复合薄膜. 该温度下退火后，光致发光谱中出现紫外光和紫光，这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的.

关键词: 射频磁控共溅射法 , cupric oxide/sillica composite thin films , microstructure , photoluminescent properties