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退火处理对CsBr:Eu2+光激励发光性能的影响

孟佳 , 赵丽丽 , 吴洁华 , 宋力昕

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00952

采用高温固相烧结法制备了CsBr:Eu2+粉体, 系统研究了退火处理后粉体的光激励发光谱、吸收差谱和光激励发光衰减时间等, 发现退火处理能有效提高CsBr:Eu2+粉体光激励发光强度, 缩短其发光衰减时间. 重点分析了退火气氛与光激励发光性能之间的关系, 实验结果表明, 退火气氛中的氧取代溴离子Br-成为替位氧离子Os-, 而氢原子将进入间隙位成为间隙氢原子Hi0. 替位氧离子Os-以及Hi0和H2i0都是有效的电子俘获中心, 并且它们与空穴俘获中心的形成密切相关.

关键词: CsBr:Eu2+ , photostimulated luminescence , anneal , electron/hole trap center

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