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阳极氧化法制备TiO₂纳米管阵列及其光电性能研究

李贺 , 姚素薇 , 张卫国 , 王宏智 , 贲宇恒

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00349

采用阳极氧化法在钛片上制备了TiO₂纳米管阵列光电极, 利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD) 对TiO₂纳米管的形貌和结构进行了表征, 详细考察了氧化工艺参数对纳米管阵列形貌的影响, 并通过稳态光电响应技术对TiO₂纳米管电极的光电化学性能进行了研究. 结果表明, 在1wt HF电解液中, 控制氧化电压为20V, 反应30min后, 在Ti表面获得了垂直导向的TiO₂纳米管阵列, 孔径约为90nm, 管壁厚度约为10nm. 经600℃退火处理后, TiO₂纳米管阵列为锐钛矿型与金 红石型的混晶结构, 此时电极的光电性能最佳, 与TiO₂纳米多孔膜电极相比, 光电性能大幅提高.

关键词: 阳极氧化 , TiO2 nanotubes , array , photoelectrochemistry

纳米Cu₂O/TiO₂ 异质结薄膜电极的制备和表征

唐一文 , 陈志钢 , 张丽莎 , 贾志勇 , 张新

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00453

通过阴极还原在纳米TiO₂膜上电沉积Cu₂O, 获得了p-Cu₂O/n- TiO₂异质结电极. 研究了沉积温度对Cu₂O膜厚、纯度和形貌的影响, 制备出纯度较高、粒径为40～50nm的Cu₂O薄膜. 纳米Cu₂O膜在200℃烧结后透光性最好, 禁带宽度为2.06eV. 光电化学测试表明纳米p-Cu₂O/n-TiO₂异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率.

关键词: 氧化亚铜薄膜 , heterojunction electrode , photoelectrochemistry , null

不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

郝彦忠 , 殷志刚

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00413

采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒, 并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征. 结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒, 反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒. 并对纳米棒进行了光电性能测定, 纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE. CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.

关键词: CdSe纳米棒 , photoelectrochemistry , CdSe/PMeT composite film electrode

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