魏劲松
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阮昊
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干福熹
无机材料学报
采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge2Sb2Te5的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge2Sb2Te5为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge2Sb2Te5的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge2Sb2Te5薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.
关键词:
Ge2Sb2Te5
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thin films
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crystallization
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pulsed laser
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super-saturation degree
秦文峰
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熊杰
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李言荣
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00247
利用脉冲激光沉积法在LaNiO3 /LaAlO3 (001)基片上生长了Ba 0.6 Sr 0.4 TiO3（BST）和Ba(Zr 0.2 Ti 0.8 )O3（BZT）单层薄膜,以及Ba(Zr 0.2 Ti 0.8 )O3/ Ba 0.6 Sr 0.4 TiO3 / Ba(Zr 0.2 Ti 0.8 )O3（BZT/BST/BZT）多层薄膜.X射线衍射（XRD）分析发现,BST、BZT和LNO薄膜都具有高度的（00l）取向.原子力显微镜 （AFM）显示三种样品表面光滑无裂纹,晶粒尺寸和表面粗糙度相当.电容测试表明,相对BST、BZT单层薄膜,多层薄膜具有最大的品质因数42.07.表明多层薄膜在微波应用中具有很大的潜力.
关键词:
BST/BZT/BST
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thin films
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dielectric constant
,
leakage current characteristics
符晓荣
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宋志棠
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多新中
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林成鲁
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武光明
无机材料学报
以硝酸镁为起始原料，胶棉液为添加剂，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备ＭｇＯ薄膜，结果表明，胶棉液是形成ＭｇＯ溶胶的关键组份；薄膜的晶体结构与胶棉液的含量及退火温度有关．同时，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、原子力显微镜（ＡＦＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对薄膜的微观结构进行了分析．
关键词:
薄膜
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thin films
高相东
,
李效民
,
于伟东
无机材料学报
采用连续离子层吸附与反应法(SILAR),以锌氨络离子([Zn(NH3)4]2+)为前驱体溶液,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以XRD和SEM等手段分析了薄膜的晶体结构和表面、断面形貌,考察了空气气氛下的退火过程对ZnO薄膜晶体结构与微观形貌的影响,并初步探讨了以SILAR方法沉积ZnO薄膜的机理.结果表明,经200次SILAR沉积循环,所得ZnO薄膜为红锌矿结构的多晶薄膜,沿<002>方向择优生长;薄膜表面致密、光滑均匀,厚度约800nm.退火处理使ZnO薄膜氧缺位减少,晶粒沿c轴取向增强;随退火温度升高,锌间隙原子增加;500℃退火时,ZnO薄膜发生再结晶.减小前驱体溶液的[NH3·H2O]/[Zn2+]比率可提高ZnO薄膜生长速率.
关键词:
ZnO
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thin films
,
successive ionic layer adsorption and reaction process （SILAR）
刘朋闯
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刘婷婷
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庞晓轩
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王庆富
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张鹏程
,
王志刚
稀有金属
ZrB2薄膜作为可燃中子毒物在反应堆上得以应用.本研究采用磁控溅射的方法在Si(111)和UO2芯块表面制备了ZrB2薄膜.利用扫描电镜(SEM)对薄膜的表面与截面形貌进行了观察,利用X射线衍射(XRD)仪、X射线能谱(EDS)、X射线光电子谱(XPS)对薄膜的物相及成分进行了表征,采用热循环以及划痕法对膜层与基体的结合性能进行考核.结果表明,所制备的薄膜为ZrB2薄膜且膜层较为纯净,基本只含有Zr和B2种元素;ZrB2膜层和UO2基体结合性能良好,膜层生长致密均匀:膜层破坏的临界载荷约为455 mN.
关键词:
二硼化锆
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磁控溅射
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薄膜
