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磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

顾广瑞 , 李英爱 , 陶艳春 , 何志 , 赵永年

无机材料学报

研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15~225nm.在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.

关键词: TiO2薄膜 , conductivity , resistivity , transfer of electrons

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