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ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe∶Cr晶体的光谱性能

魏小燕 , 孙晓燕 , 刘长友 , 徐亚东 , 杨睿 , 介万奇

人工晶体学报

采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶ Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征.紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570 ~ 750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收.低温光致发光(PL)谱分析表明,晶体在530 nm附近和595 ~ 630 nm之间出现近带边(NBE)发射和自激活(SA)发射.进一步分析表明,NBE发射由受主束缚激子(A1,X)峰、电子-受主对(e,A)峰和施主-受主对(DAP)发光峰组成.利用Arrhenius公式对变温PL谱上的NBE峰进行拟合,得出样品在低温(<50 K)和高温(>50 K)时的热猝灭激活能分别为3.87 meV和59.53 meV.红外荧光谱分析表明,ZnTe∶ Cr晶体的室温荧光发射带为2~2.6 μm,荧光寿命为1.0 ×10-6s.

关键词: ACRT-Te溶剂法 , ZnTe∶ Cr晶体 , 透过光谱 , 可见光致发光谱 , 红外荧光谱

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