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AIN-堇青石玻璃复合材料的介电性能

陈国华 , 刘心宇

材料科学与工艺

为了研究热压温度和AIN含量对AIN-堇青石玻璃复合材料烧结和介电性能的影响,采用真空热压方法在900~1000℃低温烧结制备AIN-堇青石玻璃复合材料,利用X射线衍射、扫描电镜和阻抗分析仪对复合材料的微结构和介电性能进行了研究,结果表明,随着热压温度的提高,复合材料的相对密度增加,复合材料的介电常数和介电损耗减少;在一定的热压温度下,复合材料的介电常数和介电损耗随着AIN引入量的增加而增加,从复合材料的相组成和结构角度对以上结果予以解释,提高热压温度和增加α-堇青石数量均有利于降低复合材料的介电常数和介电损耗,.制备的复合材料具有低的介电常数(5.6~6.5)和低的介电损耗(≤10-3),有望用于微电子封装领域.

关键词: AIN , 堇青石玻璃 , 复合材料 , 真空热压 , 介电性能

TSCR+固态渗氮工艺试制Hi-B钢的模拟试验

贾彩霞 , 董廷亮 , 项利 , 唐广波 , 仇圣桃 , 赵鸿金

钢铁

在实验室模拟TSCR+固态渗氮工艺试制了高磁感取向硅钢.试验结果表明,初始氮质量分数为0.0034%~0.0084%试验钢,采用MgO涂层中添加MnN的方式进行固态渗氮后钢中氮质量分数为0.0146%~0.0164%;不经渗氮的脱碳板在试验退火条件下没有发生二次再结晶,渗氮后脱碳板的二次再结晶开始温度约为980℃;二次再结晶前初次晶粒约为23μm,渗氮后在高温退火阶段形成的AIN起到了抑制初次再结晶晶粒长大的作用;试验钢的磁性波动较大;其中最好磁性能B8达到1.928T,P17/50达到1.174 W/kg.TSCR+固态渗氮工艺生产高磁感取向硅钢是可行的.

关键词: Hi-B钢 , TSCR , 固态渗氮 , 抑制剂 , AIN

AIN和B对热压烧结Cf/SiC复合材料性能的影响

何新波 , 张长瑞 , 周新贵 , 张新明 , 周安郴

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.1999.04.008

研究了烧结助剂AIN和B对Cf/SiC复合材料力学性能的影响.结果表明:B含量较低时(小于0.5wt%),B的增加能有效地提高复合材料的抗弯强度与断裂韧性,继续增加B的用量至1wt%,虽能大幅度提高复合材料的强度,但使复合材料的断裂韧性大大降低.AIN与SiC高温反应形成固溶体,能起到强化和细化基体SiC晶粒以及改善SiC晶界结构的作用,但对复合材料内纤维与基体间界面的结合影响较小,因此与B 的作用相比,AIN对复合材料密度和力学性能的影响较小.烧结助剂为5wt%AIN-0.5wt%B,经1850 ℃和25MPa热压烧结后的Cf/SiC复合材料具有较佳的综合力学性能,其抗弯强度与断裂韧性值分别为526.6MPa和17.14MPa.m1/2.

关键词: AIN , B , 热压烧结 Cf/SiC复合材料 , 力学性能

合金元素Al对微B处理特厚钢板淬透性及力学性能的影响

潘涛 , 王小勇 , 苏航 , 杨才福

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00754

采用顶端淬火、化学相分析和热力学计算,研究了合金元素对含B特厚钢板淬透性和力学性能的影响.结果表明,由于Ti与N的结合力远高于B,微量Ti的加入(0.015%,质量分数,下同)可形成TiN,固定N元素,使B游离,提高淬透性.常规A1含量(0.02%)对N的竞争力略低于B,无法阻止BN的析出;增加Al含量至0.07%以上,可提高A1对N的结合力,固溶B含量增加,可同样起到提高淬透性的作用.通过B和固氮元素的组合,促进淬透性的提高,可使含B特厚钢板心部的显微组织状态显著改善,粒状贝氏体数量降低,马氏体/奥氏体(M/A)岛组分尺寸减小,低温冲击韧性和强度均有明显提高.

关键词: 特厚板 , 淬透性 , BN , 粒状贝氏体 , AIN , 热力学计算

低碳铝镇静钢中AIN的沉淀析出

刘阳春 , 傅杰 , 吴华杰

钢铁研究学报

利用热处理和化学相分析对薄板坯连铸连轧低碳铝镇静钢中AlN的沉淀析出行为进行了试验研究.结果显示,在薄板坯连铸连轧的低碳铝镇静钢中仅有很少量的氮被固定为AlN,大部分氮仍为自由氮,其原因是在薄板坯连铸连轧流程中的连铸出坯、均热、连轧和层流冷却等阶段,AlN在钢中很少沉淀析出.在热轧钢板卷取后的缓慢空冷过程中可以沉淀析出少量的AlN,这些AlN不能起到细化晶粒的作用.

关键词: AIN , 沉淀析出 , 薄板坯连铸连轧

离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性

王浩 , 黄荣芳 , 洪瑞江 , 吴杰 , 闻立时

材料研究学报

对离子束增强反应磁控溅射低温沉积AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。

关键词: 薄膜 , AIN , magnetron sputtering

等离子体辅助球磨活化对Al2O3+C合成AlN固-固反应的影响机制

戴乐阳 , 郭学平 , 闫锦 , 张宝剑 , 刘志杰 , 王文春

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.06.001

利用介质阻挡放电等离子体辅助球磨和普通球磨分别对Al2O3 +C混合物料进行活化,研究等离子体辅助球磨活化后Al2O3+C合成AlN的碳热还原反应机制.结果表明,等离子体辅助球磨30 h的Al2O3 +C,在N2气氛中1 400℃下保温4h,Al2O3即可全部转化为AlN,Al2O3+C的碳热还原反应符合固-固反应机制.相对于球磨活化单一的Al2O3粉末,等离子体辅助球磨Al2O3+C混合粉末可以缩短10 h的球磨活化时间,这主要是由于在等离子体与球磨的协同作用下,有利于Al2O3与C形成适于固-固反应的均匀互溶的精细复合结构,使得反应扩散通道增加,平均扩散路径缩短,这在动力学方面大大促进了Al2O3+C的碳热还原反应,并促使反应按照固-固机制进行.

关键词: Al2O3+C , 等离子体辅助球磨 , 复合结构 , 固-固反应 , AlN

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