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半导体Si(111)上电沉积NiFe缓冲层薄膜

姜莹 , 姚素薇 , 张卫国 , 王宏智

功能材料

采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件.由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度＞25 nm时,可形成连续性镀层.I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长,在高过电位下以二维层状模式生长,其RMS表面粗糙度最小值仅为0.5 nm.XRD结果表明,薄膜为面心立方Ni基固溶体结构,并具有明显的(111)晶面择优取向.当薄膜组成为Ni80Fe20时,各向异性磁电阻效应(AMR)最大,AMR值为1.8%.

关键词: 电沉积 , NiFe缓冲层 , 纳米晶 , 生长模式 , AMR

种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响

刘俊 , 郑瑞伦 , 段昌奎 , 代波

功能材料

制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨了d 影响ρ和AMR的微观机理.

关键词: 新种子层 , 零场电阻率 , AMR

基片表面粗糙度对坡莫合金A MR以及磁性能的影响?

余涛 , 彭斌 , 王秋入 , 王鹏

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.013

利用霍尔离子源轰击 Si 基片获得了不同表面粗糙度的基片，然后利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(5 nm)/Ni 80Fe 20(12 nm)/Ta(2 nm)薄膜样品，重点研究了基片表面粗糙度对薄膜结构和各向异性磁阻效应的影响。采用 AFM测量基片的表面粗糙度，采用四探针法测量薄膜的各向异性磁阻效应。研究结果表明，随着基片表面粗糙度的增加，坡莫合金的AMR值显著降低，且ΔH 显著增加。

关键词: Ni 80 Fe 20薄膜 , 表面粗糙度 , 各向异性磁阻效应

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