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APCVD法沉积温度对TiO2薄膜结构的影响

庞世红 , 王承遇 , 李西平 , 刘静维 , 唐艳玲

材料导报

利用APCVD方法在浮法玻璃表面沉积了TiO2薄膜,并用XRD和AFM分别研究了不同沉积温度下薄膜的晶型结构以及表面形貌.结果表明,随着沉积温度的升高,薄膜的晶型逐渐由无定形态转变为锐钛矿和金红石,薄膜的表面平均粗糙度逐渐变大.

关键词: APCVD , TiO2 , 晶型转变 , 浮法玻璃

乙烯掺杂对硅薄膜沉积速率和形貌的影响

朱建强 , 刘涌 , 王靖 , 詹宝华 , 宋晨路 , 韩高荣

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.018

采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在Si-C.研究了C2H4/SiH4摩尔比对膜厚的影响,随着C2H4/SiH4的增大,薄膜的沉积速率降低,表明乙烯掺杂会抑制薄膜生长,同时乙烯的加入减弱了颗粒的异常长大.

关键词: APCVD , 硅薄膜 , 乙烯掺杂 , AFM , FTIR

TiO2薄膜发展现状及APCVD制备掺氮TiO2性能研究

王薇薇 , 郭玉 , 张溪文 , 韩高荣

材料导报

概述了TiO2的国内外发展现状,从原理、改性等方面详细介绍了TiO2的光催化特性,并对TiO2的制备方法进行了总结概括.用APCVD法所做的气体流量系列掺氮TiO2样品进行测试分析发现,氮已经掺入TiO2中,氮的掺杂改善了薄膜表面的亲水性能.

关键词: 光催化性 , 掺氮 , TiO2 , 薄膜 , APCVD

不同沉积温度下V掺杂的TiN薄膜的结构和性能

吴玲 , 赵高凌 , 段钢锋 , 汪建勋 , 韩高荣

功能材料

利用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备了钒(V)掺杂的氮化钛(TiN)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪和分光光度计等对TiN薄膜的结构、形貌、以及光电性能进行了分析.结果表明,薄膜呈典型的粒状结构.随着沉积温度的升高,薄膜的结晶强度不断增加,薄膜中V元素的比例增大,方块电阻逐渐降低.600℃时薄膜在近红外光区的反射率接近50%,在中远红外区的反射率达到93.74%,得到了兼具阳光控制功能和低辐射功能的V掺杂的TiN镀膜玻璃.

关键词: APCVD , 沉积温度 , 掺钒 , 氮化钛 , 结构和性能

常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究

孟祥森 , 马青松 , 葛曼珍 , 杨辉

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.02.006

我们用常压化学气相沉积法(APCVD),以SiH4和NH3为先驱体,在较低的温度(＜700℃)下制备氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,并对其性能进行了研究.研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40%,并具有良好的抗高温氧化性,这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景.

关键词: 氮氧化硅 , APCVD , 硬度 , 高温氧化性 , 表面改性

乙烯掺杂APCVD法沉积非晶硅薄膜的光学特性

詹宝华 , 宋晨路 , 刘涌 , 朱建强 , 韩高荣

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.06.016

通过硅烷、乙烯和氮气的混合气体在620下采用常压化学气相沉积(APCVD)法沉积了非晶硅薄膜,讨论了乙烯/硅烷的体积比(R=VC2H4/VsiH4)对薄膜的光学性质的影响.用Raman光谱、红外光谱和紫外-可见光光谱仪对薄膜进行表征.结果表明通过乙烯掺杂制备的薄膜样品中存在着Si-C键,在R值变化的开始阶段薄膜的光学带隙随着R值增大而增大,在R=0.1时达到最大值,然后随着R值的增大而减小.

关键词: APCVD , 非晶硅薄膜 , 红外光谱 , 紫外-可见光光谱 , 光学带隙

APCVD方法制备SnO2薄膜的结构和光致发光特性

计峰 , 马瑾 , 王玉恒 , 余旭浒 , 宗福建 , 程传福 , 马洪磊

功能材料

采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.

关键词: APCVD , 氧化锡薄膜 , 光致发光

Kinetic Study of SiO2/S Coating Deposition by APCVD

材料科学技术（英）

关键词:

表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

贾护军 , 杨银堂 , 柴常春 , 李跃进

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.018

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散.选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时,可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0～2.5nm/min.

关键词: 碳化硅薄膜 , 常压化学气相淀积 , 表面预处理 , 硅化 , 碳化

退火处理对SnO2：F薄膜光电性能的影响

李铭 , 高倩 , 刘涌 , 宋晨路 , 韩高荣

材料科学与工程学报

SnO2∶F薄膜作为low-e玻璃的表面功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。Low-e玻璃在后期退火（深加工）后,其性能的变化已经引起了学术研究和实际应用方面的的关注。我们对于用化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250nm厚的SnO2∶F薄膜进行不同的退火处理。并通过一系列的研究,结果发现,薄膜的结构、组成、电学、光学性能在氮气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化。SnO2∶F薄膜的Low-e性能经过空气中高温退火后下降明显。通过计算对比退火后SnO2∶F薄膜的晶格常数和晶胞尺寸,提出了一种对于薄膜Low-e性能下降的合理解释。

关键词: Low-e , SnO2∶F薄膜 , 退火 , 常压化学气相沉积