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Sb掺杂SnO2（ATO）的制备及表面电荷对粉体导电性影响

党欢 , 赵晓伟 , 陈群 , 常春 , 张经纬 , 李克强 , 魏向阳 , 吴志申

以Na2SnO3·5H2O和Sb2O3为锡锑源,HNO3为沉淀剂,采用共沉淀法制备了结晶性良好,颗粒尺寸7~10nm的Sb掺杂SnO2（ATO）纳米颗粒。借助XRD、TEM、EDS、粉体电阻率测试仪、Zeta电位测试仪等研究了合成体系pH值、洗涤方式、表面活性剂、煅烧温度等因素对ATO性能的影响。结果表明,体系pH值对粉体颗粒尺寸和电导率影响显著。优选条件下,控制合成体系pH值为3,并经800℃煅烧所得ATO的晶粒尺寸约为8nm,电阻率为0.444Ω·cm。

关键词: ATO , 表面电荷 , pH值 , 表面活性剂 , 电阻率

络合法合成Sb掺杂SnO₂(ATO)纳米粉体

张建荣 , 高濂 , 顾达

无机材料学报

采用非均相成核法,在晶种上以络合法均匀生长Sn,Sb混合金属氢氧化物,合成了纳米ATO导电粉体。以粉体电阻、粉体粒径为指标进行实验,得到了最佳络合剂。系统研究了合成条件如掺杂浓度,反应温度、pH值、配体/Sb比等对最终粉体导电性能的影响。以TG-DTA、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程。结果表明粉体为四方金红石型结构,平均粒径为10nm左右,粉体的团聚很少。

关键词: ATO , nanoparticle , complex

第二组元掺杂对ATO纳米粉体电学和光学性能的影响

李历历 , 段学臣

功能材料

以醇盐水解法制备掺杂第二组元金属氧化物的ATO纳米粉末,通过高速剪切、超声波方法制备分散均匀的ATO浆料,用该浆料以匀胶法在玻璃片上镀膜.对粉末用XRD、TEM、SEM进行了检测.粉末电阻率用数字式微欧表测量,以多功能光谱仪测定不同波长下的薄膜的透射率.结果表明,Cr2O3增大ATO纳米粉末晶粒尺寸,对ATO粉体电阻率急剧增加,搀杂ZnO增加ATO纳米粉末晶粒尺寸,但降低ATO粉末的电阻率,搀杂Fe2O3能大大减少ATO纳米粉末晶粒长大,当Fe2O3搀杂量超过一定值时使电阻率急剧上升,3种氧化物均降低ATO薄膜的透射率,其程度为Cr2O3＞Fe2O3＞ZnO.

关键词: ATO , 电阻率 , 透射率 , Cr2O3 , ZnO , Fe2O3

国内纳米ATO导电粉体制备的研究现状

刘小强 , 杜仕国 , 闫军 , 崔海萍 , 程宏凯

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.04.002

纳米ATO(锑掺杂二氧化锡)导电粉因其在导电和光学等方面的优良性能,在许多领域有着广阔的应用前景,是近年来迅速发展的一种新型功能材料,目前制备纳米ATO粒子的方法主要有共沉淀法、水热法、燃烧合成法等.详细介绍了纳米ATO粉体制备的国内研究现状,并总结了锑掺杂量、热处理、反应pH值等制备工艺对粉体性能的影响,最后提出了有待深入研究的几个问题.

关键词: ATO , 纳米粉体 , 制备 , 影响因素 , 性能

共沉淀法制备ATO纳米粉末及其光吸收性能

张晶 , 何伟 , 张其土

材料科学与工程学报

以SnCl4·5H2O和SbCl3为主要原料,采用共沉淀法制备ATO纳米粉末,用DSC-TG、XRD、FESEM、反射率测试等方法对制得的ATO粉末的形貌、微观结构和激光吸收性能等进行表征.研究结果表明:324℃附近有一个结晶放热峰,说明样品开始发生晶化;XRD分析表明ATO为SnO2四方金红石结构,煅烧温度提高到800℃以后,结晶趋于完善;合成的ATO粉末为不规则球形,初始粒径约为30nm;由于锑的掺杂引起的非化学计量缺陷产生了大量载流子,产生等离子激元效应,并且随着纳米尺寸的减小,纳米晶比表面积增大,因此造成红外吸收峰宽化.

关键词: ATO , 共沉淀法 , 掺杂 , 红外吸收

ATO纳米粉体的性能特点与制备研究现状

李靖宇 , 施冬梅 , 邢万宏

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.03.028

详细介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体良好的导电抗静电性能、浅色透明性、良好的耐候性和稳定性、纳米粒子特性、多功能性等性能特点,简述了ATO纳米粉体的应用领域;综述了目前制备ATO纳米粉体的固相法、水热法和化学共沉淀法等方法,对几类制备方法优缺点进行分析,进一步确定改进的化学共沉淀法和水热法制备ATO纳米粉体时的最佳实验条件.指出了目前ATO纳米粉体制备存在的几点问题,为进一步研究ATO纳米粉体的制备提供参考依据.

关键词: ATO , 纳米粉体 , 性能 , 制备