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ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析

徐艺滨 , 杜国同 , 刘维峰 , 杨天鹏 , 王新胜

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.031

采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数Al2O3)陶瓷靶.对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征.得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω·cm.

关键词: 射频磁控溅射 , 透明导电薄膜 , AZO膜