孟军霞
,
马全新
,
王超
材料导报
采用射频磁控溅射方法在玻璃和硅衬底上制备出Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响.结果显示,硅衬底和玻璃衬底均出现了(100)和(002)衍射峰,玻璃的(002)衍射峰强于硅.同时随着退火时间的延长,(002)峰强度基本不变,(100)峰的强度逐渐增强,薄膜呈(100)取向生长,表明退火时间可能会引起晶体生长过程中择优取向的改变.退火1.5h样品可以得到最佳的(002)取向.随着退火时间的延长,样品的PL谱中各发光峰强度先增强后减弱随后又增强,且蓝光双峰强度大于绿光峰强度;位于443nm的蓝光发光峰发生了蓝移.
关键词:
磁控溅射法
,
AZO薄膜
,
结构特性
,
光学特性
张惠
,
沈鸿烈
,
鲁林峰
,
江丰
,
冯晓梅
功能材料
采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下(0.05～0.4Pa)沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究.结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜(002)峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能下降,薄膜可见光透过率变化不大,但禁带宽度变窄.与玻璃衬底相比,PEN衬底上沉积的AZO薄膜拥有更高的品质因数,获得的最佳电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.11×10-3Ω·cm、4.14×1020cm-3和13.60cm2/(V·s),该薄膜可见光的绝对透射率达到95.7%.
关键词:
AZO薄膜
,
磁控溅射
,
工作气压
,
PEN衬底
李金丽
,
邓宏
,
刘财坤
,
袁庆亮
,
韦敏
功能材料
采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究.结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现.薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107 Ω·cm.
关键词:
AZO薄膜
,
X射线衍射
,
AFM
,
电阻率
张承庆
,
胡小萍
,
朱景森
,
方玲
,
李德仁
,
卢志超
,
周少雄
金属功能材料
在普通玻璃衬底上利用掺杂2%(质量)Al2O3的ZnO陶瓷靶材在中频磁控溅射设备中制备了掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜.利用XRD、XPS、紫外可见分光光度计和Hall测试系统研究了Ar气压力(0.73～2.0 Pa)对AZO透明导电薄膜结构、光学和电学性能的影响.随着Ar气压力的增大,电阻率呈先减小后增大的趋势,在0.83 Pa时,AZO薄膜的电阻率为6.91×10-4 Ω·cm,在波长400～800 nm间的平均透过率超过86%.研究结果表明,Ar气压力对于AZO薄膜的导电性是一个敏感的参数,Ar气压力影响在薄膜沉积过程中氧空位的形成和分布,从而影响薄膜的导电性.
关键词:
Ar气压力
,
中频磁控溅射
,
AZO薄膜
,
XPS
李春光
,
王飞
,
安涛
,
王东新
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2013.12.07
近年来，国内外一些研究者对添加剂元素与铝元素共掺杂的 ZnO 薄膜开展了许多研究并发现在 AZO薄膜掺入添加剂元素不仅会增强AZO薄膜的光电特性，而且还能优化其晶体结构和表面形貌，某些添加剂元素还可以提高AZO薄膜的多项性能和稳定性，这对研究 AZO 薄膜性能的提高提供了一个更具潜力的研究方向。介绍了 AZO 薄膜的基本结构、基本特性以及光电性能原理。对添加剂元素对 AZO薄膜结构的研究和光电性能的研究进行了归纳和总结，并且与 AZO 薄膜进行了对比。综述了添加剂元素掺入的AZO薄膜目前所采用的磁控溅射法、溶胶-凝胶法和脉冲激光法三种主要制备技术以及其优缺点，同时阐述了不同方法掺入添加剂元素的 AZO 薄膜的研究进展。最后介绍了添加剂元素掺入的AZO薄膜在光电领域的应用，展望了其未来发展与研究趋势。
关键词:
AZO薄膜
,
添加剂元素
,
光电性能
,
薄膜性能
张秀勤
,
王政红
,
薛建强
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2012.02.010
采用机械混粉、造粒、模压和冷等静压(CIP)成型相结合的功能陶瓷制备工艺制备了AZO靶材,研究了空气、真空及惰性气氛对AZO靶材性能的影响.结果发现,氩气保护烧结法制备的AZO靶材不仅密度高,电阻率达10-4Ω·cm量级,而且该方法还可明显抑制氧化锌的挥发,降低烧结温度,在1320℃的温度下便可制得相对密度为99％、晶粒度在4μm左右的靶材.
关键词:
AZO靶材
,
AZO薄膜
,
冷等静压
,
惰性气体
方华靖
,
严清峰
,
王晓青
,
沈德忠
人工晶体学报
通过水热生长的预处理步骤在普通玻璃载玻片表面铺设种子层,然后采用旋涂法在处理好的衬底上涂覆前驱体溶胶,成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的Al掺杂的ZnO薄膜(AZO)薄膜.利用X射线衍射分析、扫描电镜表征薄膜形貌,并测定薄膜的透射率及电阻率.研究了种子层对AZO薄膜结晶性能、表面形貌及光电性能的影响.结果表明:种子层减少了薄膜生长初期的非晶成份,促进了薄膜的晶化.薄膜在可见光范围内平均透射率超过85％,导电性能也有所改善.
关键词:
AZO薄膜
,
种子层
,
溶胶凝胶
,
光电性能
孟军霞
,
马书懿
,
陈海霞
,
陶亚明
,
侯丽莉
,
贾迎飞
,
尚小荣
功能材料
采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响.结果显示,随着Al掺杂量的增加,薄膜的(002)衍射峰先增强后减弱,同时出现了(100)、(101)和(110)衍射峰,表明我们制备的AZO薄膜为多晶纤锌矿结构,适量的Al掺杂可提高ZnO薄膜的结晶质量,然而AZO薄膜的表面平整、晶粒致密均匀.薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过90%,同时随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小.这与采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作出相应的理论计算所得结果的变化趋势完全一致.
关键词:
磁控溅射法
,
AZO薄膜
,
结构特性
,
光学特性
,
量子限域
肖立娟
,
李长山
,
郝嘉伟
,
赵鹤平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.009
本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al (AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征.XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的透过率均超过80％;薄膜的导电性能得到提高.
关键词:
AZO薄膜
,
缓冲层
,
晶体结构
,
光电性能
张凯红
,
靳正国
,
赵宏生
功能材料
采用溶胶-凝胶法、在空气、Ar气、H2气中热处理制备Al3+、F-掺杂的致密ZnO薄膜.利用XRD、SEM、分光光度计和四探针测试仪对薄膜性质进行表征.研究表明,强还原性H2气处理促进了薄膜晶界中吸附氧的解吸,减少了晶界处缺陷数目,有利于薄膜晶化程度和载流子浓度提高,所制得掺杂ZnO薄膜最低方阻为10Ω/□,在可见光范围内的达透射率在可达90%以上,性能接近ITO导电薄膜.
关键词:
溶胶-凝胶
,
AZO薄膜
,
FZO薄膜
,
光电性能
