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Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响

金原奭 , 金聖雄 , 崔大林 , 柳在一 , 李禹奉 , 李貞烈

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.004

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程.然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好.文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX (Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻.经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300 Ω,而且没有ACX引起的问题出现.

关键词: ITO , Al-C-N , 接触电阻 , 组分

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