郑燕兰
,
李爱珍
,
林春
,
李存才
,
胡建
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.038
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.
关键词:
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱
,
PL强度
,
激光器
