马德营
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李佩旭
,
夏伟
,
李树强
,
汤庆敏
,
张新
,
任忠祥
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徐现刚
人工晶体学报
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD).透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍.激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W.在热沉温度为20 ℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h.
关键词:
窗口结构
,
Zn扩散
,
热阻
,
AlGaInP
,
半导体激光器
陈贵楚
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范广涵
,
陈练辉
,
刘鲁
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.018
鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强.这个最佳A1组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义.
关键词:
AlGaInP
,
LED
,
Al组分
李玉璋
,
王国宏
,
马骁宇
,
曹青
,
王树堂
,
陈良惠
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.005
分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率.并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd.
关键词:
AlGaInP
,
发光二极管
,
低压有机金属气相外延
