李冰寒
,
刘文超
,
周健
,
夏冠群
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.019
制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压.
关键词:
异质结双极晶体管
,
AlGaInP/GaAs
,
直流特性
,
开启电压
