季振国
,
娄垚
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的AlxGa1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD, 紫外－可见透射光谱, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的AlxGa1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响. 结果发现, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜中的螺型位错密度减少, 但是刃型位错密度增加, 因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能. 进一步地分析测试结果表明, 随着沉积温度的升高, AlxGa1-xN薄膜内的Al含量增加, 导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移, 因此适当提高沉积温度（1000～1050℃）是获得高Al含量AlxGa1-xN薄膜的一种有效手段, 但是过高的沉积温度（>1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.
关键词:
AlGaN
,
high Al content
,
MOCVD
,
epitaxy
,
deposition temperature
季振国
,
娄垚
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386
沉积参数对MOCVD法生长的Al_xGa_(1-x)N薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD,紫外-可见透射光谱,原子力显微镜,扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的Al_xGa_(1-x)N外延膜缺陷密度以及发光性能的影响.结果发现,随着沉积温度的升高,Al_xGa_(1-x)N薄膜中的螺型位错密度减少,但是刃型位错密度增加,因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能.进一步地分析测试结果表明,随着沉积温度的升高,Al_xGa_(1-x)N薄膜内的Al含量增加,导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移,因此适当提高沉积温度(1000～1050℃)是获得高Al含量Al_xGa_(1-x)N薄膜的一种有效手段,但是过高的沉积温度(>1100℃)不利于提高薄膜的发光强度.
关键词:
AlGaN
,
高铝含量
,
MOCVD
,
外延
,
沉积温度
陆大成
,
刘祥林
,
韩培德
,
王晓晖
,
汪度
,
袁海荣
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.001
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。
关键词:
GaN
,
InGaN
,
AlGaN
,
双异质结
,
量子阱
,
蓝光LED
,
绿光LED
,
MOVPE
冯玉春
,
胡加辉
,
张建宝
,
王文欣
,
朱军山
,
杨建文
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.030
为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-AlN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN.过渡层为多层复合结构,分为高温变组分AlGaN、GaN、低温AlN、高温变组分AlGaN.在高温生长AlGaN和GaN层中插入一层低温生长AlN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺.当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂.本文研究了AlN缓冲层生长温度、高温变组分AlGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响.采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析.测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量.
关键词:
Si(111)
,
GaN
,
AlN
,
AlGaN
