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AlInGaN合金的发光机制研究

董逊 , 黄劲松 , 黎大兵 , 刘祥林 , 徐仲英 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.007

用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序.形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点).伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导.进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性.

关键词: AlInGaN , 时间分辨 , 量子点 , 局域态

AlGaN基UV-LED的研究与进展

魏同波 , 王军喜 , 闫建昌 , 李晋闽

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.020

近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注,成为了全球半导体领域研究和投资的新热点.本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题,对UVLED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍,并展望了未来发展方向.

关键词: UV-LED , AlGaN , AlInGaN , 综述

射频分子束外延生长AlInGaN四元合金

王保柱 , 王晓亮

无机材料学报 doi:10.3724/sp.j.1077.2009.00559

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测. 通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性. 研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.

关键词: 铝铟镓氮 , RF-MBE , structural properties , optical properties

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