任屏源
,
任妮
,
马占吉
,
肖更竭
,
武生虎
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2007.04.019
为了提高C/E复合材料的导电性及耐空间环境的能力,应用电弧离子镀技术在C/E复合材料表面沉积了Al膜,研究了地面模拟原子氧环境对C/E复合材料表面镀Al前后的侵蚀、质损及Al膜的附着力、导电性的影响.通过XRD、SEM、FT-IR、万能拉伸测试仪、FZ-82 数字式四探针测试仪等测试分析样品.结果表明:电弧离子镀Al膜微米级以上颗粒较多,但分布均匀,膜层致密,附着力达2 N/mm2以上;原子氧对C/E复合材料侵蚀明显,镀铝后具有明显的防护作用;原子氧侵蚀后的Al膜电阻率有所上升,但还是有较好的导电性;辐照后的Al膜附着力比辐照前反而增加,其机理尚待进一步研究.
关键词:
C/E复合材料
,
Al膜
,
电弧离子镀
,
原子氧
,
防护
周耐根
,
周浪
,
宋固全
,
宋照东
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.08.006
用分子动力学方法模拟了Cu双晶和Al双晶薄膜的〈111〉生长,模拟时假定在薄膜平面内保持恒定的等轴双向应变,薄膜中两晶粒的能量计算表明:不同晶粒的能量存在差异,能量较低的晶粒在沉积中择优生长,逐渐取代能量较高的晶粒,Cu膜择优生长速率显著高于Al膜;两种薄膜择优生长的机制完全不同,Cu膜中处于不利位向的晶粒通过孪晶过渡转变为择优取向,转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为位错;而Al膜则是通过无序结构重结晶实现上述转变,转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为间隙原子.文中对上述择优生长驱动力的来源、以及在纳米多晶中的重要性进行了讨论.
关键词:
Cu膜
,
Al膜
,
择优生长
,
分子动力学
王飞
,
徐可为
金属学报
纳米压入仪对Si片上多晶Al膜进行的压入蠕变实验表明,加载方式对Al膜的蠕变性能有明显影响. 随加载速率和载荷的增大, Al膜的总蠕变量和应力指数均有较大升高. 且蠕变初期
可能存在异常高蠕变率. 分析认为这与是加载过程中未及发生的塑性变形的持续释放有关. 对于确定的薄膜材料及组织结构,加载过程中积攒的塑性变形量及其释放速率将影响不同加载条件下的总蠕变量和应力指数.
关键词:
纳米压入
,
null
,
null
周耐根
,
周浪
,
宋固全
,
宋照东
金属学报
用分子动力学方法模拟了Cu双晶和Al双晶薄膜的111生长, 模拟时假定在薄膜平面内保持恒定的等轴双向应变, 薄膜中两晶粒的能量计算表明:
不同晶粒的能量存在差异, 能量较低的晶粒在沉积中择优生长, 逐渐取代能量较高的晶粒, Cu膜择优生长速率显著高于Al膜; 两种薄膜择优生长的机制完全不同, Cu膜中处于不利位向的晶粒通过孪晶过渡转变为择优取向, 转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为位错; 而Al膜则是通过无序结构重结晶实现上述转变, 转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为间隙原子. 文中对上述择优生长驱动力的来源、以及在纳米多晶中的重要性进行了讨论.
关键词:
Cu膜
,
null
,
null
