符云飞
,
樊慧庆
,
邓永丽
,
陈晋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00687
采用电泳沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备了厚度为33μm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST40)厚膜, 研究了其介电调谐特性、漏电流特性和铁电特性. 实验结果表明: 采用水热法制备纳米BST40粒子, 经250MPa高压压制, 950℃热处理后, BST40厚膜可形成完整的立方钙钛矿结构且表面致密、无裂纹. ε-V特性表明, 1kHz时厚膜调谐率可达59.2％. I-V特性表明, 当电压从--25～25V变化时, 漏导电流<100μA/cm2. 测量了在1kHz, 不同温度下厚膜的电滞回线. 在0℃时, 其剩余极化强度为1.06μC/cm2.
关键词:
BST厚膜
,
EPD
,
tunability
,
remnant polarization
王思维
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翟继卫
,
丑修建
,
姚熹
功能材料
钛酸锶钡(BST)陶瓷材料在外置偏压直流电场作用下,具有高的介电可调性,可以广泛地应用于电可调陶瓷电容器以及无源可调微波器件的设计与开发.通过B-Li玻璃的有效掺杂,实现BST陶瓷材料与Ag、Cu贱金属电极材料的低温友好烧结,是发展混合集成厚膜电路的技术要求.主要采用丝网印刷工艺,在Al2O3陶瓷衬底上,制备了B-Li玻璃掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜材料,并对其最佳烧结温度、物相结构、显微形貌以及介电性能进行了研究.结果表明,B-Li玻璃掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜材料在950℃可以实现低温烧结,得到了厚度为20μm的均匀致密厚膜材料;相比于BST陶瓷块体材料,5%(质量分数)B-Li玻璃掺杂BST厚膜的居里峰发生了明显的弥散和宽化,介电常数显著降低;在室温和10kHz频率下,其介电常数为210,介电损耗为0.0037,介电可调性可达15%以上,可以适用于厚膜混合集成电路与可调器件的设计和开发.
关键词:
BST厚膜
,
丝网印刷
,
介电性能
,
可调性
符云飞
,
樊慧庆
,
邓永丽
,
陈晋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.010
采用电泳沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备了厚度为33μm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST40)厚膜,研究了其介电调谐特性、漏电流特性和铁电特性.实验结果表明:采用水热法制备纳米BST40粒子,经250MPa高压压制,950°C热处理后,BST40厚膜可形成完整的立方钙钛矿结构且表面致密、无裂纹. ε-V特性表明,1kHz时厚膜调谐率可达59.2%.Ⅰ-Ⅴ特性表明,当电压从-25～25V变化时,漏导电流100μA/cm2.测量了在1kHz,不同温度下厚膜的电滞回线.在0°C时,其剩余极化强度为1.06μC/cm2.
关键词:
BST厚膜
,
电泳沉积
,
调谐率
,
电滞回线
王希林
,
薛昊
,
周和平
稀有金属材料与工程
采用溶胶凝胶法制备了钛酸锶钡超细粉体,在纯乙醇中配制成悬浮液,利用电泳沉积技术在印刷铂的氧化铝基板上沉积得到了BST厚膜.通过控制悬浮液中粉体的浓度和超声振荡实现了悬浮液的稳定.电泳沉积过程中通过改变电压和沉积时间研究了厚膜质量和厚膜的厚度.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了沉积物的微观结构形貌,对沉积质量进行了对比研究.实验结果表明,当外加电场强度为20V/cm,沉积时间为30 s时得到的厚膜表面质量较好,厚度适合.实验发现1200℃烧结温度得到的厚膜致密度较好.X射线衍射分析(XRD)图谱表明烧结后得到的BST厚膜具有典型的钙钛矿结构.对厚膜的介电性能测试发现,BST厚膜有一定的介电性能,展示了BST材料的非线性特性.
关键词:
电泳沉积
,
BST厚膜
,
介电性能
