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N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜的电阻率与膜厚和温度的关系

段兴凯 , 杨君友 , 朱文 , 肖承京

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.06.015

在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K.采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度的相互关系.

关键词: 电阻率 , Bi2Te2.5Se0.5薄膜 , 瞬间蒸发法