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Bi3NbZrO9掺杂对BST电容器陶瓷介电性能的影响

吕淑珍 , 徐锭成 , 徐海洋 , 黄新友

硅酸盐通报

采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了Bi3NbZrO9掺杂量对(Ba,Sr) TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响.结果表明:Bi3NbZrO9掺杂没有改变BST陶瓷主晶相,随着掺杂量的增加会出现一些杂相.Bi3NbZrO9掺杂BST陶瓷具有小的介质损耗值,对材料居里峰的移动和展宽效应明显.Bi3NbZrO9掺杂量为lwt%时,烧结温度为1280℃,BST陶瓷具有较佳的介电性能:介电常数(εr) =2325,介质损耗(tanδ)=0.0048,耐压强度(Eb) =7.8 kV/mm(AC),-30 ~ 85℃温度范围内,容温变化率(△C/C)为-12.9%~ 14.3%.

关键词: 电容器陶瓷 , Bi3NbZrO9掺杂 , 钛酸钡锶 , 介电性能

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