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Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

杨波波 , 徐家跃 , 申慧 , 张彦 , 陆宝亮 , 江国健

人工晶体学报

本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12 (BGSO)固溶体(x=0~0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为.实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0~0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长.采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能.

关键词: Bi4Si3O12 , Bi4Ge3O12 , 析晶行为 , 坩埚下降法 , 晶体生长

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