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高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用

张炳森 , 于晓明 , 孙霞光 , 李茂林 , 张彩碚 , 祁阳

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.06.002

利用硅胶吸附一解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膳的氧化源.在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×103Pa,该臭氧浓度可维持5 h以上.X射线衍射结果表明,制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.

关键词: 臭氧 , 浓缩装置 , Bi系氧化物薄膜 , 分子束外延

高浓度臭氧在分子束外延法制备Bi系氧化物薄膜中的应用

张炳森 , 于晓明 , 孙霞光 , 李茂林 , 张彩碚 , 祁阳

金属学报

利用硅胶吸附--解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置, 通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源. 在臭氧浓缩装置中, 硅胶温度保持在-85℃左右, 工作6 h, 可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧. 当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×10 3 Pa, 该臭氧浓度可维持5 h以上. X射线衍射结果表明, 制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO, 并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的 Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.

关键词: 臭氧 , concentrating apparatus , Bi-based oxide thin films , molecular beam epitaxy(MBE)

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