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Bridgman法生长TeO2晶体的缺陷分析

储耀卿 , 陈之战 , 李耀刚 , 钱永彪

人工晶体学报

采用Bridgman法生长了二氧化碲(TeO2)晶体,运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷.初步讨论了散射点、微裂纹、气泡和黑点、条纹以及腐蚀坑等微缺陷的形成机理.结果表明:晶体内部的散射点来自于原料中杂质,条纹主要是由于晶体内应力引起,晶体内的气泡和黑点和晶体生长的温度密切相关,并就如何减少这些微缺陷进行了初步探讨.

关键词: TeO2晶体 , 晶体缺陷 , Bridgman法 , 晶体生长 , 形成机理

Cr:iSrAlF6晶体生长及其性能表征

方珍意 , 黄朝恩 , 师瑞泽 , 潘伟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.028

本文报道了布里奇曼法生长的高品质Cr:iSrAlF6 晶体及其激光特性.采用固相氟化反应除去原料中的氧化物和水.在较小的温度梯度和较慢的生长速率下生长出的Cr:iSrAlF6晶体尺寸达到φ20mm×130mm.均匀的Cr3+掺杂浓度为1～15mol%.从XRD谱图计算出的Cr:iSAF晶体点阵参数为a=0.502nm,c=0.967nm.测试了晶体的吸收曲线,并分析了其吸收与能带结构的关系.实现了闪光灯泵浦的Cr:iSAF激光器运转,激光转换斜效率达到5.85%.

关键词: Cr:iSrAlF6晶体 , Bridgman法 , 闪光灯泵浦 , 斜效率

Bridgman法晶体生长的热物性各向同性坩埚的选择

张海斌 , 李培俊 , 任国浩 , 史宏声 , 沈定中

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.023

本文对不同坩埚热物性组合时计算得到的结果进行了比较.对各向同性坩埚而言,应该优先选择具有与晶体和熔体的导热系数相当导热系数的材料,也可选择导热系数较大的材料.在强度允许的情况下,减小坩埚壁厚对晶体生长有利.

关键词: 热物性各向同性坩埚 , Bridgman法 , 晶体生长 , 导热系数

Cd0.9Mn0.1Te晶体生长及其缺陷分析

常永勤 , 谷智 , 郭喜平 , 介万奇

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.04.004

采用Bridgman法和ACRT-B法生长了两根Cd0.9Mn0.1Te晶锭(简称CMT-B和CMT-A).采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷,并分析了其形成机理.采用JEOL-733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布.对比CMT-B和CMT-A两根晶锭,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0.9Mn0.1Te晶体的结晶质量.

关键词: Cd1-xMnxTe , Bridgman法 , ACRT-B法 , 微裂纹 , 位错

LaBr3∶Ce晶体生长及物理特性的研究

丁言国 , 包汉波 , 李正国 , 秦来顺 , 舒康颖

硅酸盐通报

利用垂直Bridgman法生长了尺寸为φ25 mm×80 mm的LaBr3∶3％Ce晶体,晶体的熔点为786℃,XRD表明晶体存在(100)解理面,晶体的择优生长方向为[001].热膨胀测试表明晶体[100]方向热膨胀系数比较大,在室温至600℃范围内平均热膨胀系数达22.9×10-6/K.晶体经加工后,透过率可达到65％.室温下晶体的光致发光呈双发射峰,分别位于358 nm和380 nm.晶体呈单指数衰减,衰减极快,衰减时间拟合为18.3 ns.

关键词: Bridgman法 , LaBr3∶Ce晶体 , 晶体生长 , 解理面 , 光谱

下降法生长的GdCOB晶体中的包裹物

钟真武 , 罗军 , 范世(马豈)

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.017

本文通过对GdCOB晶体进行了光学显微观察;结合电子探针微区分析手段,讨论了Bridgman法生长所得GdCOB晶体中几类不同性质的包裹物.这些包裹物主要为富钙的固相包裹物,组分过冷形成的熔体包裹,以及气泡包裹.并分析了它们的组成和成因.

关键词: 包裹物 , GdCOB晶体 , Bridgman法 , 位错

下降法生长Bi4Ge3O12大尺寸单晶中散射芯的形成和消除

肖海斌 , 胡关钦 , 王绍华 , 徐力

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.014

本文报道了以Bi2O3和GeO2粉末为原料,采用改进的Bridgman法生长的大尺寸单晶中的散射芯现象.借助于显微镜和电子探针对散射芯进行了研究,发现散射芯主要是由铂金微颗粒组成.分析了散射芯产生的原因,并提出了消除这种宏观缺陷的一些方法.

关键词: Bi4Ge3O12晶体 , Bridgman法 , 散射芯 , 宏观缺陷

在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体

蓝慕杰 , 叶水驰 , 鲍海飞 , 周士仁 , 姚枚

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.01.014

在横向磁场中用Bridgman法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势,在头部有三种类型的分布.磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变.当安瓿绕生长轴匀速旋转时,晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征,也没有常规Bridgman法生长晶体的径向对称性.尾部呈现圆锥状的凸起,可能是旋转生长抑制胞状结构的证据.

关键词: HgCdTe , Bridgman法 , 磁场 , 组分

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3晶体组分对结构与性能的影响

材料研究学报

用熔体Modified Brdgman法生长出尺寸直径40 mm长度80 mm的弛豫铁电单晶PMNT90/10,表明该方法不仅适合在准同型相界(MPB)附近生长PMNT单晶,也适合生长PT含量很低的PMNT单晶.在生长出的PMNT90/10晶体中,铁电相与顺电相两相共存,并呈现亚微畴结构特征.随着晶体组分由PMN组元变化到MPB组分附近,PMNT的电畴结构呈现微畴-亚微畴-不规则宏畴-规则宏畴演化系列,而介电弛豫特性则逐步弱化.PMNT固熔体的电学性能依赖于晶体组分,(001)切型PMNT90/10晶体的压电常数d33约80 pC/N,显著低于MPB附近组分,但其介电常数ε达到12600,明显高于后者.

关键词: 无机非金属材料 , 晶体生长 , Bridgman法 , Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 , 弛豫铁电体 , 压电性能

多组元化合物晶体生长过程中的双扩散对流现象

石科峰 , 刘捷 , 卢文强

工程热物理学报

针对多组元化合物晶体的Bridgman生长过程,通过对液相区流场和浓度场的数值模拟,研究生长过程中容器内部双扩散对流与组分分布的情况.首先对比了三段场和梯度场炉壁温度设计情况下液相区的流体双扩散对流以及组分分布情况.在此基础上,针对梯度场炉壁温度条件,分析了不同参数的影响.结果表明:在溶质格拉晓夫数较大时,它的增大能够明显地削弱液相区的流体流动,从而使得界面附近的组分分布也产生变化;此外,拉晶速度的增大也能够使得液相区的双扩散对流受到抑制.

关键词: Bridgman法 , 多组元化合物晶体 , 双扩散对流