卢文壮
,
左敦稳
,
徐锋
,
王珉
硅酸盐通报
在HFCVD系统中采用B2O3作为掺杂源制备了B掺杂CVD金刚石厚膜,利用X-射线衍射仪研究了B掺杂对CVD金刚石厚膜应力的影响.结果显示,B元素的掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,膜中非晶态碳含量随着掺杂浓度的增加而增加.在低掺杂时CVD金刚石厚膜成核面上的应力状态为压应力,在高掺杂时应力状态为张应力,张应力值随着掺杂浓度的增加而增加.掺杂CVD金刚石厚膜生长面的应力为张应力,在高掺杂时的张应力值较高.
关键词:
应力
,
B掺杂
,
金刚石厚膜
,
XRD
张文杰
,
李骏
,
杨波
材料热处理学报
采用溶剂热合成法制备B-TiO2,研究了B掺杂量对TiO2光催化剂物化性质和光催化降解甲基橙活性的影响.实验结果表明,B-TiO2样品均为四方晶系锐钛矿型结构,掺杂B后引起TiO2晶粒尺寸减小和颗粒细化,比表面积随B含量增加而逐渐增大.B离子主要进入TiO2晶格占据O的位置形成O-Ti-B结构,B-TiO2的晶胞体积比纯TiO2有所减小,孔径大小和孔容积略有增大.B-TiO2的光催化活性普遍优于TiO2,吸附性能随B掺杂量的增加而逐渐下降,3％B掺杂的TiO2具有最佳的光催化活性.
关键词:
TiO2
,
B掺杂
,
溶剂热
,
光催化
卢文壮
,
左敦稳
,
王珉
,
黎向锋
,
徐锋
,
褚向前
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.007
研究了采用B2O3作为掺杂源以EACVD法沉积大面积掺杂CVD金刚石膜,用SEM、Raman、二次离子质谱仪、四探针电阻仪等对B掺杂金刚石膜进行了分析.结果表明直径达100mm的大面积B掺杂金刚石膜的晶粒分布均匀,非金刚石碳含量较少,生长速率达到10μm/h以上;B掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,高浓度掺杂可以细化晶粒,在高浓度掺杂的膜中存在一定的非晶态碳;金刚石膜中B的含量在一定范围内随着掺杂源浓度的增加而正比增加;金刚石膜的电阻率随着掺杂源B2O3的浓度的增加而下降,当掺杂达到一定浓度时,金刚石膜的电阻率逐渐趋向稳定.
关键词:
CVD金刚石
,
B掺杂
,
性能
,
大面积
陈新亮
,
张德坤
,
赵颖
,
人工晶体学报
本文研究了B2H6掺杂流量(B掺杂)对平面结构MOCVD-ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响.XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明,玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有(002)峰择优取向的平面结构,B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小,10 sccm流量时晶粒尺寸为～15 nm.ZnO:B薄膜的最小电阻率为5.7×10-3Ω·cm.生长的ZnO薄膜(厚度d=1150 nm)在400～900 nm范围的透过率为82%～97%,且随着B2H6掺杂流量增大,光学吸收边呈现蓝移(即光学带隙Eg展宽)现象.
关键词:
MOCVD
,
ZnO薄膜
,
B掺杂
,
太阳电池
刘晨吉
,
贾云龙
,
刘红
,
吴一
,
刘磊
,
郑树凯
中国有色金属学报
利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势法，对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO 3的晶格参数、Mulliken电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行计算。结果表明：B替位Sr和B替位Ti掺杂对SrTiO3电子结构和光学性质的影响不显著；B替位O掺杂则在SrTiO3的禁带中引入3条杂质能级，杂质能级上的电子可以吸收能量较小的光子跃迁至导带，光吸收强度从可见光长波段550 nm开始逐渐增加，光谱吸收边红移；B以间隙原子的形式掺杂时，SrTiO 3的禁带宽度大幅增大，电子跃迁能增加，光谱吸收边蓝移。
关键词:
SrTiO 3
,
B掺杂
,
第一性原理
,
电子结构
