向鑫陈长安刘柯钊罗丽珠刘婷婷王小英
金属学报
doi:DOI:10.3724/SP.J.1037.2009.00590
用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂, 并利用XPS, XRD, TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子
注入He行为的影响. 结果表明, 掺杂的C在Al表面形成了Al4C3, 随着C掺杂量的增加, Al表面组织的择优取向
和晶胞体积发生改变, 从而影响了Al中的He离子注入行为. 预先掺杂的C对He离子注入Al表面的鼓泡行为有重
要影响, 其影响程度与掺杂剂量有关. 小剂量C掺杂后, 能有效抑制鼓泡的长大, 并使Al表面鼓泡均匀分布; 更高
剂量C掺杂后, C对表面鼓泡的抑制作用减弱, 甚至加剧He离子的辐照损伤, Al表面出现孔洞和剥落现象. 掺杂的
C对Al基体的微观结构也有很大影响.
关键词:
Al
,
C doping
,
He behavior
,
blistering
,
microstructure
向鑫
,
陈长安
,
刘柯钊
,
罗丽珠
,
刘婷婷
,
王小英
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00590
用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂,并利用XPS,XRD,TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子注入He行为的影响.结果表明,掺杂的C在Al表面形成了Al_4C_3,随着C掺杂量的增加,Al表面组织的择优取向和晶胞体积发生改变,从而影响了Al中的He离子注入行为,预先掺杂的C对He离子注入Al表面的鼓泡行为有重要影响,其影响程度与掺杂剂量有关,小剂量C掺杂后,能有效抑制鼓泡的长大,并使Al表面鼓泡均匀分布;更高剂量C掺杂后,C对表面鼓泡的抑制作用减弱,甚至加剧He离子的辐照损伤,Al表面出现孔洞和剥落现象,掺杂的C对Al基体的微观结构也有很大影响,
关键词:
Al
,
C掺杂
,
He行为
,
鼓泡
,
微观结构
韩宁
,
马春伟
,
侯雪玲
,
徐培全
,
贾涵浩
,
薛允
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.08.024
通过熔体快淬方法制备了LaFe11.5Si1.Cx(x=0,0.1,0.2,0.3)系合金的快淬条带.采用X射线衍射分析仪、振动样品磁强计研究了C掺杂对La-Fe-Si合金在凝固过程以及随后热处理过程中的NaZn13型相形成及磁热性能的影响.结果表明:适量的C掺杂有利于凝固过程中NaZn13立方结构型的La(Fe,Si)13相的形成;C掺杂能有效地提高La(Fe,Si)13相的居里温度,当C含量由0增加到0.3时,合金的居里温度由210 K升高到262K.合金居里温度的升高是由于掺杂的C原子占据了La(Fe,Si)13相中的间隙位置,使La(Fe,Si)13相晶格膨胀,Fe-Fe原子间铁磁交互作用增强.当C掺杂含量为0.2时,La-Fe-Si-C合金在1273K热处理2h时获得了最佳综合磁热性能,其居里温度(Tc)为255 K,最大等温磁熵变(ASM)为9.45 J/(kg·K)(1.5 T).
关键词:
C掺杂
,
LaFe11.5Si1.5Cx合金
,
熔体快淬
,
磁热性能
