胡立业
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杨传仁
,
符春林
,
陈宏伟
功能材料
采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,溅射过程中的离子注入引起底电极/铁电薄膜界面处产生了过渡层,从而导致C-V曲线不对称.最后我们通过改进溅射工艺对这一机理进行了实验验证.
关键词:
钛酸锶钡
,
薄膜
,
C-V曲线
,
不对称
,
界面
刘奇斌
,
宋志棠
,
吴良才
,
封松林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.009
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度.本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性.MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层.这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2.不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小.随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小.
关键词:
Ge纳米晶
,
高k介质
,
C-V曲线
