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AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术

黄俊 , 魏珂 , 刘新宇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.017

对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀.

关键词: AIGaN/GaN , HEMT , 凹栅槽 , 低损伤刻蚀 , C2H4

取样时间和碳源气体流量对火焰法催化裂解乙烯制备碳纳米管的影响

丁开翔 , 孙保民 , 王阳 , 郭永红 , 康志忠

人工晶体学报

采用火焰法,并使用Fe/Mo/Al2O3型载体催化剂,催化裂解乙烯制备了碳纳米管,并对取样时间和乙烯气体流量进行了实验探究.结果表明:取样温度保持1000℃,He和H2气体流量保持为经验配比He∶H2=2∶3时,取样时间越长,生成的碳纳米管数量也越多,而取样时间达到7 min时,碳纳米管的数量已经基本稳定;乙烯气体流量为0.2 L/min时,生成的碳纳米管在质量和数量上都达到较佳,乙烯流量偏低或者偏高都不利于碳纳米管的生成;实验中制备的碳纳米管以双壁或者少壁的多壁碳纳米管为主,没有单壁碳纳米管生成.

关键词: 火焰法 , 碳纳米管 , 乙烯 , 取样时间 , 气体流量

催化剂焙烧温度和乙炔焰温度对火焰法催化裂解乙烯制备碳纳米管的影响

丁开翔 , 孙保民 , 郭永红 , 贾小伟 , 王阳 , 康志忠

人工晶体学报

研究了600℃/700℃/800 ℃/900℃/1000℃五组催化剂焙烧温度和980℃/1050℃/1100℃三组乙炔火焰温度变化对火焰法催化裂解乙烯制备碳纳米管的影响.发现不同的催化剂焙烧温度和乙炔焰温度对合成产物影响突出,两者均存在致使产量最大的温度工况,但在产物准直度和管径均匀度等方面有些工况的表现较佳.

关键词: 碳纳米管 , 乙烯 , 火焰法 , 焙烧温度 , 火焰温度

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