王海龙
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乔建房
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陈德良
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关莉
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李明亮
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张锐
稀有金属材料与工程
首先采用固相法合成CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器.采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨.结果发现,在950 ℃和 30 MPa的热压条件下制备出的 SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数ε_r≈3×10~8(1 kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化.
关键词:
陶瓷电容器
,
CCTO
,
热压烧结
,
介电性能
梁桃华
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胡永达
,
杨邦朝
,
杨仕清
,
马嵩
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赖玲庆
功能材料
采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu_3Ti_4O_(12)(简称CCTO)陶瓷.当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08:3.00:4.44时,获得了相对介电常数在1kHz下高达4×10~5(1kHz)的巨介电CCTO陶瓷,其介电常数比标准化学计量比CCTO陶瓷高约一个数量级.结合XRD、SEM、EDX等分析表征结果,对巨介电常数的物理机理进行了探讨.
关键词:
CCTO
,
非化学计量比
,
巨介电常数
,
机理
李含
,
邹正光
,
吴一
,
龙飞
硅酸盐通报
CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其高介电常数、高热稳定性和强烈的非线性等优异性能,在科学研究和实际应用中成为当前介电材料领域研究的热点.本文综述了迄今为止介电常数最高的CCTO钙钛矿体系介电陶瓷材料的相关进展,介绍了几种制备方法,评述了CCTO高介电陶瓷的掺杂改性和复合的研究现状,并对其发展趋势作了展望.
关键词:
CCTO
,
制备工艺
,
掺杂
,
复合
黄旭
,
郑兴华
,
汤德平
,
杨小炳
,
洪聪杰
,
林芬
硅酸盐通报
采用热压法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-电木复合材料,加入CCTO不但明显提高了电木的介电常数,而且显著地降低了其介电损耗.随CCTO含量增加,电阻率先变化甚少,而后急剧降低,到80wt％ CCTO时为107 Ω·m.大量添加CCTO将阻碍聚合物的交联固化,气孔明显增多.综合考虑,添加50wt％CCTO复合材料性能最好.
关键词:
CCTO
,
电木
,
热压
,
介电性能
申玉芳
,
邹正光
,
李含
,
龙飞
,
吴一
材料导报
随着电子工业的飞速发展,电子器件小型化、高速化成为一种主导发展趋势.采用高介电材料制备的器件尺寸仅为传统振荡器和介质相的1/(K),使得高介电材料成为电子材料行业一个重要的发展领域.高介电钙钛矿型无机陶瓷材料与可加工性强的聚合物材料两相复合材料结合了两相各自的优势,比如聚合物相的低温(200℃)可加工性与机械强度以及陶瓷相的高介电性,成为高介电复合材料的研究热点之一.综述了高K聚合物/无机复合材料的研究进展,介绍了其高介电理论、材料制备方法及发展动向.
关键词:
高K复合材料
,
介电常数
,
CCTO
,
BT
叶中郎
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朱泽华
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高红霞
,
谢兆军
,
赵海杰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.002
利用溶胶凝胶法制备了CaCu3 Ti4 O12 (CCTO),相对介电常数高达123000.通过对不同温度烧结的样品断口进行能谱分析,发现晶界有明显的Cu富集,而且样品介电常数以及电导率均与晶界处Cu含量成正比.分析了Cu的偏析度对介电常数的影响及其巨介电机理.
关键词:
巨介电材料
,
CCTO
,
溶胶凝胶法
,
Cu偏析
