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直流电弧等离子体CVD金刚石膜中氢杂质研究

郭世斌 , 姜春生 , 吕反修 , 唐伟忠 , 李成明

人工晶体学报

运用傅里叶红外光谱(FT-IR)和核反应分析(NRA)对直流电弧等离子体制备的金刚石膜中的氢杂质进行了研究,并通过添加少量空气到反应气体的实验分析了氢杂质的变化.研究结果发现:红外光谱只能检测金刚石膜中的成键氢,其含量随着氮渗入量的增加而增加,并得出2820 cm~(-1)处的吸收是由氮结合的CH基团振动引起的,2832 cm~(-1)处的吸收可能是由金刚石膜特征结构缺陷结合的CH基团振动引起的,而不是氧相关的基团.核反应分析可以检测金刚石膜中的总氢含量,近表面小于50 nm层氢含量变化快,大于50 nm之后氢含量趋于稳定,此值认为是金刚石膜中的总氢含量.

关键词: CVD , 金刚石膜 , 氢杂质 , FT-IR , 核反应分析

一种适于碳纳米管制备的绿色前驱体

新型炭材料 doi:10.1016/S1872-5805(11)60068-1

根据绿色化学原理尝试探索一种合成多壁碳纳米管的天然可再生前驱体.应用化学气相沉积(CVD)法,采用一种天然可再生前躯体(椰仁油),通过系列步骤合成了MWCNTs.氮气既作为气化前驱体载气(气体流速:100mL/min)又维持合成在惰性氛围中进行.合成的MWCNTs使用SEM、EDX、TEM和Raman表征,最佳条件下得到的碳纳米管直径为80nm~90nm.

关键词: 椰仁油 , 天然可再生前躯体 , 碳纳米管 , CVD

在Cu-Ni合金上直接生长石墨烯/氮化硼异质结构

田博 , 薛宸

功能材料与器件学报

利用碳原子在铜镍合金中有限的溶解度,采用两步化学沉积法(Two-Regime CVD),实现直接以铜镍合金为衬底生长石墨烯/氮化硼纵向异质结.为了表征石墨烯/氮化硼异质结构的存在以及晶格质量,我们采用了共聚焦拉曼光谱仪对转移到二氧化硅衬底上的样品进行探测,并进一步利用扫描电子显微镜对样品的表面形貌进行表征.最后还提出探究该异质结构对石墨烯电学和热传导性质的影响.

关键词: 石墨烯 , 氮化硼 , CVD , 异质结构

原位CVD法生长碳纳米管组装CNT/TiO2多孔复合膜

吕慧 , 陈爱平 , 张哲 , 何洪波 , 李春忠

膜科学与技术

在FTO导电玻璃上组装了CNTs/Fe-Ni/TiO2多孔复合膜光催化剂.首先制备合成孔剂嵌段聚合物P123和掺杂铁和镍的TiO2前驱体溶胶,然后采用喷涂热解法在FTO导电玻璃上组装掺杂铁和镍的TiO2多孔膜,最后采用CVD法将CNTs原位生长在多孔TiO2膜上,得到过渡金属掺杂的CNTs/TiO2多孔复合膜.通过XRD、SEM、TEM、Rarman和光电流等方法考察了原位生长CNTs的工艺条件对CNTs/TiO2复合膜光催化剂的结构和性能的影响,并通过降解甲基橙溶液评价了CNTs生长工艺条件对光催化活性的影响.考察了多孔复合膜在液相光催化降解中的稳定性.结果表明,原位生长CNTs的较适宜的工艺条件为:温度550~600℃,时间20min.

关键词: 碳纳米管 , 二氧化钛 , 多孔复合膜 , 光催化 , CVD

硼掺杂对钛基金刚石薄膜附着力的影响

魏俊俊 , 贺琦 , 高旭辉 , 吕反修

材料热处理学报

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在钛基片上沉积了掺硼金刚石薄膜,并对掺杂前后的薄膜形貌及结构进行了检测.结果表明掺杂元素对形貌和结构有很大的影响,同时掺杂后薄膜与基底附着力有所下降.掠角衍射(GIXD)检测表明,中间层的主要成分是TiC和TiH_2.随着硼的加入,两者的含量增加.薄膜与基底的附着力下降的原因主要是受中间过渡层成分和残余应力增加的共同影响.

关键词: 金刚石薄膜 , 掠角衍射(GIXD) , 掺硼 , 附着力 , CVD

化学气相沉积法合成碳纳米管及其导电性能研究

周永生 , 杜高辉 , 许并社

材料导报

以二甲硫醚为碳源前驱体,Co/MgO为催化剂,采用化学气相沉积法生长出碳纳米管及Y形碳纳米管,此法稳定性及重现性较好.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱及X射线衍射对产品形态和结构进行了分析和表征,结果表明,所制备的碳纳米管形态较规整、纯度较高,具有较好的石墨微晶结构;导电性能测试结果显示,Y形碳纳米管各分支均呈现出典型的金属性导电性能.

关键词: Y形碳纳米管 , CVD , 二甲硫醚 , 导电性能

钴的价态对Co/Mo/MgO催化剂制备碳纳米管的影响

朱继 , 赵崇斌 , 陈爱丽 , 杨杭生 , 张孝彬

材料科学与工程学报

用溶胶凝胶煅烧法制备的Co/Mo/MgO催化剂中,除了形成Mg(Co)MoO4固溶体,一部分Co元素随着煅烧温度的提高,从Co3O4转变为CoO。在不同钴价态的催化剂上,用CVD法制备了碳纳米管。X射线衍射、电子显微镜、拉曼光谱和TGA表征显示,单壁碳纳米管可能是在Co3O4上生长的,多壁碳纳米管可能是在Mg(Co)MoO4上生长的,而在此场合下CoO并不是制备碳纳米管的有效催化剂。

关键词: 碳纳米管 , CVD , MgMoO4 , 氧化钴

基于TiC0.5N0.5/Si3N4复相陶瓷基体的PVD及CVD涂层刀具性能

古尚贤 , 郭伟明 , 曾俊杰 , 伍尚华 , 李安琼 , 蒋强国 , 曾琨

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150907.001

首先,以15vol%或25vol%的TiC0.5N0.5粉体为导电第二相,利用热压烧结法制备了TiC0.5N0.5/Si3N4 复相陶瓷;然后,分别通过物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)技术在TiC0.5N0.5/Si3N4陶瓷刀具表面沉积了CrAlN和TiN/Al2O3/TiN涂层;最后,通过对TiC0.5N0.5/Si3N4刀具进行连续切削灰铸铁实验,研究了TiC0.5N0.5含量和涂层类型对刀具磨损特征的影响,并探讨了刀具的磨损机制.结果表明:TiC0.5N0.5含量的增加有利于提高TiC0.5N0.5/Si3N4复相陶瓷刀具基体的硬度和电导率,但对耐磨性和切削寿命的影响较小;采用PVD技术沉积CrAlN涂层时,随着TiC0.5N0.5含量的增加,涂层的厚度、结合强度和硬度都得到提高,涂层刀具的磨损性能显著提高,切削寿命也明显延长;而采用CVD技术沉积TiN/Al2O3/TiN涂层时,TiC0.5N0.5含量的变化对涂层的厚度、结合强度和硬度基本没有影响,TiN/Al2O3/TiN涂层刀具整体切削性能变化不大.CrAlN涂层和TiN/Al2O3/TiN涂层都可明显改善TiC0.5N0.5/Si3N4复相陶瓷刀具的耐磨性和切削寿命;相对于TiN/Al2O3/TiN涂层,CrAIN涂层具有更高的涂层硬度和粘着强度,但TiN/Al2O3/TiN涂层具有较大的涂层厚度,TiN/Al2O3/TiN涂层刀具表现出更加优异的耐磨性和切削寿命.TiC0.5N0.5/Si3N4复相陶瓷刀具的磨损机制以机械摩擦导致的磨粒磨损为主,伴随有少量的粘结磨损.

关键词: 涂层TiC0.5N0.5/Si3N4刀具 , 电阻率 , PVD , CVD , 磨损性能

过渡金属表面CVD石墨烯的生长机理研究进展

吴涛 , 张晓伟 , 蒋业华

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.06.009

石墨烯由于其独特的优异性能逐渐成为新材料领域的研究热点.在石墨烯的各类制备方法中,CVD法已然成为大面积石墨烯制备的主流方法.与铜表面形核生长石墨烯相比,钌、铱、镍、钴等过渡金属作为CVD法制备石墨烯的衬底时,其生长机理完全不同于前者.综述了过渡金属表面CVD石墨烯的生长机理,并总结了石墨烯大规模生产和金属催化剂再利用所面临的困难和挑战.

关键词: 石墨烯 , CVD , 过渡金属 , 催化剂 , 衬底

不同硅烷修饰的MFI分子筛膜及其H2/CO2分离性能

陈冬冬 , 张春 , 洪周 , 顾学红

膜科学与技术 doi:10.16159/j.cnki.issn1007-8924.2016.01.001

通过NH4+离子交换的方法获得了HMFI分子筛膜,采用在线化学气相沉积法(CVD)对其进行晶内孔道修饰,以提高其对H2的分离选择性.实验考察了四乙氧基硅烷(TEOS)、甲基二乙氧基硅烷(MDES)和三甲基乙氧基硅烷(TMES)3种不同尺寸修饰源对膜性能的影响.结果表明,尺寸较小的TMES更容易扩散进入分子筛膜的晶内孔道,从而获得了更优的H2/CO2分离性能,修饰后的膜在500℃下H2/CO2的分离因子可迭45.9,H2的渗透性为1.43×10-7 mol/(m2·s·Pa).同时,通过质谱(MS)分析了TMES在HMFI分子筛孔道中的裂解行为,探讨了硅烷修饰的的沉积机理.

关键词: MFI分子筛膜 , 硅烷 , CVD , H2/CO2分离

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