郝文涛
,
张家良
,
徐攀攀
,
曹恩思
,
彭华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13050
利用热压方法制备了高密度的CaCu3Ti4O12陶瓷,研究了其微观结构、晶格结构和介电性质.实验发现,短时间热压方法制备的陶瓷的相对密度就能达到98.3％,并且微观结构呈现晶粒尺寸双峰分布的特点.XRD显示热压方法制备的陶瓷中含有少量的Cu2O第二相,而经过退火处理的热压陶瓷则只含有CuO第二相.热压方法制备的陶瓷和经过退火处理的热压陶瓷的室温介电频谱上有两个介电弛豫,而常规方法制备的陶瓷只有一个.并且热压方法制备的陶瓷的低频介电常数高达2×105,经过退火处理的热压陶瓷的低频介电常数更是达到1×106.本研究进一步讨论了其微观结构和介电性质之间的关系.
关键词:
热压方法
,
CaCu3Ti4O12
,
微观结构
,
介电性质
高雅
,
赵清华
,
史建芳
,
段倩倩
,
李刚
,
王开鹰
人工晶体学报
通过溶胶-凝胶法在硅基底上制备不同烧结温度(700℃、800℃、900℃)下的CaCu3 Ti4O12 (CCTO)薄膜.分别采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的形貌、组分和结晶状况进行表征,发现在800℃烧结温度下CCTO薄膜的结晶状况最佳.然后,采用半导体特性分析仪测试薄膜的电容-电压(C-V)特性和电流-电压(I-V)特性,得到薄膜的最大比电容和阈值电压分别为3.2.F/cm2和47 V.最后,使用台阶仪对两种浓度的先驱溶液在不同转速下所制备的薄膜厚度进行了研究.
关键词:
CaCu3Ti4O12
,
烧结温度
,
电学特性
,
薄膜厚度
贾鹏博
,
王显威
,
王小二
,
王丽芳
,
刘清波
人工晶体学报
通过溶胶-凝胶法制备CaCu3Ti4O12 (CCTO)粉体,经成型、烧结制成陶瓷,研究了烧结温度和保温时间对陶瓷显微结构和介电性能的影响.结果表明,在1050～1120℃下,随着烧结温度升高,陶瓷晶粒长大,致密度先增大后减小,经1100℃烧结所得陶瓷晶界清晰,晶粒较大且生长均匀;在1100℃下,随着保温时间的延长,陶瓷晶粒尺寸和致密度先增大后减小,经保温15 h烧结所得陶瓷具有最大的晶粒和致密度,其在1 kHz下的相对介电常数为1.77×104.
关键词:
CaCu3Ti4O12
,
烧结温度
,
保温时间
,
显微结构
,
介电性能
李建英
,
侯林林
,
贾然
,
高璐
,
武康宁
,
李盛涛
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150118
研究了尖晶石型CuAl2O4掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷显微结构、介电性能以及松弛特征和缺陷结构的影响。在频率为10-1~107 Hz、温度为153~453 K的条件下测量了样品的介电性能。研究表明,适量添加CuAl2O4,使样品晶粒尺寸减小并趋于均匀,击穿场强从CaCu3Ti4O12陶瓷样品的3.0 kV/cm提高到13.0 kV/cm,低频介电损耗减小。介电松弛中的高频松弛过程起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程,其活化能~0.10 eV基本不变；随着CuAl2O4含量增加,与界面相关的松弛活化能从0.50 eV减小到0.22 eV,可能与CuAl2O4在样品中引入杂质及更复杂的界面有关；电导活化能从0.66 eV增至0.86 eV,归因于CuAl2O4第二相抑制了晶界处的载流子跳跃,提高了Schottky势垒高度。CuAl2O4掺杂量大于100mol%,过量CuAl2O4会导致样品晶界势垒崩塌,样品失去非欧姆特性和巨介电性能。
关键词:
CaCu3Ti4O12
,
介电性能
,
压敏特性
王法军
,
周东祥
,
龚树萍
,
郑志平
材料导报
采用溶液混合随后热压的方法制备了CaCu3Ti4O12/聚偏氟乙烯(CCTO/PVDF)复合材料.采用XRD对复合材料的物相结构进行了分析.研究了复合材料的介电常数与CCTO体积分数的关系.结果表明,在10kHz下,当CCTO含量等于50%(体积分数)时,复合材料的介电常数达到81.采用Maxwell-Gamett模型、Jaysundere模型和Yamada模型分别对实验结果进行了预测和比较,其中Yarnada模型与实验结果符合得较好.
关键词:
聚合物
,
复合材料
,
介电性能
,
CaCu3Ti4O12
,
聚偏氟乙烯
马广
,
赵景畅
,
吴兴惠
材料导报
以硝酸钙、硝酸铜、钛酸四丁酯、冰乙酸和无水乙醇为原料,采用溶胶-凝胶自蔓延燃烧反应成功地制备了平均粒径为60～80nm的CaCu3Ti4O12纳米粉体.采用XRD、TEM和IR对纳米粉体的结构、形貌和光谱特性进行了分析和表征,并借助TG-DSC研究了干凝胶的自蔓延特性和晶化过程.采用传统烧结工艺制备了陶瓷,测得其在室温、lkHz时的介电常数为6×104.
关键词:
Sol-gel
,
白蔓延燃烧
,
CaCu3Ti4O12
,
介电性能
杨静
,
沈明荣
,
方亮
功能材料
通过研究在不同气氛(氮气和氧气),CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品在一定温度下进行后处理后,不同功函数电极对其介电性质的影响,进而研究CCTO陶瓷的巨介电常数的起源问题.我们在空气中制备了CaCu3Ti4O12陶瓷,发现样品表面电阻率很大,样品表面呈现绝缘态,此时不同功函数电极以及不同电极制备方法对其介电性质几乎没有影响,说明CCTO的巨介电常数是由孪晶界或半导体晶粒与绝缘晶界所产生的内部阻挡电容(IBLC)所引起.但当样品在高温氮气中后处理后,样品表面电阻率明显下降,以较大功函数的金属作为电极的样品,其介电常数有了明显的提高,而以功函数小的金属作为电极的样品,其介电常数变化不大.从而进一步说明当CCTO样品表面处于半导态,表面电极效应也是CCTO巨介电常数来源之一.
关键词:
CaCu3Ti4O12
,
巨介电性质
,
功函数
,
肖特基势垒
尤景汉
,
李同伟
,
李立本
,
王辉
稀有金属材料与工程
利用传统固相反应法制备理想摩尔配比的CaCu3Ti4O12(CCTO)、SrCu3Ti4O12(SCTO)和BaCu3Ti4O12(BCTO)陶瓷样品,测量它们在不同频率下的介电常数和介电损耗随温度的变化关系.结果发现,CaCu3Ti4O12的介电性能基本上属于德拜弛豫,而造成SCTO和BCTO与CCTO介电性能差异巨大的原因是结构的畸变和杂相的出现.
关键词:
CaCu3Ti4O12
,
介电常数
,
介电损耗
,
德拜弛豫
倪维庆
,
俞建长
,
郑兴华
,
梁炳亮
稀有金属材料与工程
采用固相反应法在不同温度(950～1100 ℃)下预烧后烧结制备CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷.对CCTO陶瓷进行物相分析,并测试了20 Hz～1 MHz频率范围和25～150 ℃温度区间的介电性能和阻抗谱,详细研究了预烧温度对CCTO陶瓷烧结性能、晶体结构和介电性能的影响.结果表明,较低的预烧温度有利于CCTO陶瓷的烧结,容易获得介电性能较好的CCTO陶瓷.950 ℃预烧后,于1120 ℃烧结的CCTO陶瓷室温1 kHz频率下介电常数可达12 444.
关键词:
固相反应
,
预烧温度
,
CaCu3Ti4O12
,
介电性能
徐洋
,
钟朝位
,
张树人
材料导报
在介绍CaCu3Ti4O12材料体心立方类钙钛矿结构的基础上总结了CaCu3Ti4O12块材和薄膜的制备方法,综述了CaCu3Ti4O12材料在高介电性能、晶界阻挡层效应引起的非线性特性以及金属离子掺杂改性等方面的最新研究进展.
关键词:
高介电
,
CaCu3Ti4O12
,
非线性
,
掺杂
