李佳伟
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朱世富
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赵北君
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何知宇
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陈宝军
稀有金属
采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对CdGeAs2晶片表面的抛光技术进行了研究.通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析.对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测.结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到CdGeAs2晶体的表面损伤层厚度.
关键词:
非线性材料
,
CdGeAs2
,
XPS
,
XRD回摆曲线
,
表面损伤层
戚鸣
,
吴海信
,
王振友
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黄昌保
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倪友保
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张春丽
人工晶体学报
高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用.原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs2多晶的纯度和质量.本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀问题;并在双温区炉中设计了合理的温场,合成了CdGeAs2多晶料.经X射线粉末衍射分析和晶胞精修表明样品为高纯、单相CdGeAs2多晶.
关键词:
CdGeAs2
,
镀碳
,
多晶合成
,
双温区
,
晶胞精修
甄珍
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
陈宝军
,
黄巍
,
蒲云肖
,
钟义凯
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150232
采用 WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿 CdGeAs2晶体在320~620 K 温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa>>αc>0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs2晶体的晶格常数(a, c)与温度(T)的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a, Cd-As 键长(lCd?As)和 Ge-As 键长(lGe?As)以及相应的热膨胀系数αCd?As和αGe?As。结果表明, a、c、δ、lCd?As、lGe?As和αCd?As均随着温度的升高而增大, c/a和?Ge?As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd?As是αGe?As的6.36倍,是造成CdGeAs2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。
关键词:
CdGeAs2晶体
,
热膨胀
,
四方畸变
