薛晋波
,
李雪方
,
梁伟
,
王红霞
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.01.005
以SeO2·CdCl2·5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜.研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能.结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态；随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落.综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳.
关键词:
电化学沉积
,
TiO2纳米管
,
沉积电压
,
CdSe纳米晶薄膜
